| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第8-17页 |
| §1.1 硬盘存储技术原理与发展 | 第9-13页 |
| §1.1.1 硬盘结构及磁记录原理 | 第9-11页 |
| §1.1.2 垂直磁记录原理与优势 | 第11-12页 |
| §1.1.3 垂直记录的“三难问题” | 第12-13页 |
| §1.2 交换耦合复合磁记录介质 | 第13-16页 |
| §1.2.1 交换耦合复合介质的原理 | 第13-14页 |
| §1.2.2 L1_0-FePt有序合金薄膜 | 第14-16页 |
| §1.3 本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 薄膜的制备与性能表征 | 第17-25页 |
| §2.1 薄膜的制备 | 第17-19页 |
| §2.2 薄膜的表征方法 | 第19-24页 |
| §2.2.1 薄膜的厚度测量 | 第19-20页 |
| §2.2.2 微结构的测量 | 第20-21页 |
| §2.2.3 薄膜磁性能的测量 | 第21-24页 |
| §2.2.4 磁电阻的测量 | 第24页 |
| §2.3 小结 | 第24-25页 |
| 第三章 L1_0FePt-[Co/Ni]_N/Ru/[Co/Ni]_M—具有合成反铁磁结构的垂直交换耦合薄膜 | 第25-43页 |
| §3.1 研究背景介绍 | 第25-26页 |
| §3.2 样品的制备 | 第26-27页 |
| §3.3 FePt/[Co/Ni]_N/Ru/[Co/Ni]_M复合薄膜的研究 | 第27-38页 |
| §3.3.1 垂直取向的[Co/Ni]_N多层膜与合成反铁磁结构 | 第27-29页 |
| §3.3.2 L1_0-FePt/[Co/Ni]N的晶体结构与翻转场变化 | 第29-30页 |
| §3.3.3 [Co/Ni]多层膜的不同周期数N、M对FePt/[Co/Ni]_N/Ru/[Co/Ni]_M的影响 | 第30-32页 |
| §3.3.4 FePt/[Co/Ni]_5/Ru/[Co/Ni]_(10)翻转过程的研究 | 第32-34页 |
| §3.3.5 翻转场的角度特性 | 第34-35页 |
| §3.3.6 FePt/[Co/Ni]_5/Ru/[Co/Ni]_(10)的热稳定性研究 | 第35-36页 |
| §3.3.7 开关场分布的对比 | 第36-37页 |
| §3.3.8 晶粒间的磁相互作用 | 第37-38页 |
| §3.4 AFC-ECC结构磁化翻转过程的微磁学模拟 | 第38-42页 |
| §3.4.1 微磁学单元划分 | 第38-39页 |
| §3.4.2 微磁学模型及模拟结果 | 第39-41页 |
| §3.4.3 磁化翻转机制的研究 | 第41-42页 |
| §3.5 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 FePt/[Co/Ni]_5/Ru/[Co/Ni]_(10)的磁电阻效应 | 第43-48页 |
| §4.1 研究背景介绍 | 第43-44页 |
| §4.2 FePt-CN-Ru结构磁电阻的变化及磁化翻转过程研究 | 第44-46页 |
| §4.3 温度对FePt-CN-Ru结构磁电阻的作用 | 第46-47页 |
| §4.4 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 硕士期间已发表论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
