TFET单元库设计技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第11-13页 |
| 第2章 低功耗技术分析及TFET原理概述 | 第13-23页 |
| 2.1 功耗产生机理分析 | 第13-16页 |
| 2.1.1 动态功耗 | 第13-14页 |
| 2.1.2 短路功耗 | 第14-15页 |
| 2.1.3 静态功耗 | 第15-16页 |
| 2.2 低功耗技术 | 第16-20页 |
| 2.2.1 低功耗设计 | 第17-19页 |
| 2.2.2 低功耗工艺及器件 | 第19-20页 |
| 2.3 TFET器件原理 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 传统工艺下的单元库生成 | 第23-32页 |
| 3.1 ASIC设计方法概述 | 第23-25页 |
| 3.2 标准单元库建库流程 | 第25-26页 |
| 3.3 标准单元库及库文件 | 第26-31页 |
| 3.3.1 库文件组成 | 第26-28页 |
| 3.3.2 时序库 | 第28-30页 |
| 3.3.3 物理库 | 第30-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 基于TFET的数字单元电路研究 | 第32-53页 |
| 4.1 应用于设计的器件模型 | 第32-34页 |
| 4.2 单元电路设计 | 第34-47页 |
| 4.2.1 基本反相器设计 | 第35-37页 |
| 4.2.2 组合单元电路设计 | 第37-38页 |
| 4.2.3 时序单元电路设计 | 第38-40页 |
| 4.2.4 Clock电路设计 | 第40-41页 |
| 4.2.5 测试电路设计 | 第41-43页 |
| 4.2.6 TFET电路设计的特殊性 | 第43-47页 |
| 4.3 基于TFET器件的设计验证 | 第47-52页 |
| 4.3.1 参数分析 | 第47-49页 |
| 4.3.2 关键单元电路仿真 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 基于TFET的版图研究 | 第53-66页 |
| 5.1 标准单元设计规划 | 第53-57页 |
| 5.1.1 设计规范 | 第53-55页 |
| 5.1.2 布图优化 | 第55-57页 |
| 5.2 TFET版图设计 | 第57-65页 |
| 5.2.1 TFET工艺及版图 | 第57-58页 |
| 5.2.2 TFET器件检测 | 第58-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它研究成果 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
