| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外该方向的研究现状 | 第10-18页 |
| 1.2.1 碳纳米管的结构、性质及应用 | 第10-12页 |
| 1.2.2 碳纳米管的制备研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.3 光学窗口的电磁屏蔽研究进展 | 第15-18页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 材料的制备与表征方法 | 第20-28页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 主要实验原料 | 第20页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第20-21页 |
| 2.2 碳纳米管薄膜的制备 | 第21-23页 |
| 2.2.1 Ni催化剂制备碳纳米管薄膜 | 第21-22页 |
| 2.2.2 W-Fe催化剂制备碳纳米管薄膜 | 第22-23页 |
| 2.3 SiO_2膜层的制备 | 第23-24页 |
| 2.4 碳纳米管薄膜的表征及性能测试 | 第24-28页 |
| 2.4.1 碳纳米管薄膜厚度测量 | 第24页 |
| 2.4.2 碳纳米管薄膜表面形貌表征 | 第24-25页 |
| 2.4.3 拉曼光谱表征 | 第25页 |
| 2.4.4 薄膜光学性能测试 | 第25-26页 |
| 2.4.5 催化剂的热重热差分析 | 第26页 |
| 2.4.6 碳纳米管薄膜电学性能测试 | 第26-28页 |
| 第3章 基于镍催化剂制备碳纳米管薄膜及性能研究 | 第28-48页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 Ni催化剂薄膜的制备与预处理 | 第28-29页 |
| 3.3 不同反应参数对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第29-39页 |
| 3.3.1 反应温度的影响 | 第29-33页 |
| 3.3.2 CH_4/H_2流量的影响 | 第33-36页 |
| 3.3.3 Ar流量的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.4 反应时间的影响 | 第37-39页 |
| 3.4 基于镍催化剂制备碳纳米管薄膜的光电性能研究 | 第39-42页 |
| 3.4.1 碳纳米管薄膜的红外透过率研究 | 第40页 |
| 3.4.2 碳纳米管薄膜的导电性能研究 | 第40-42页 |
| 3.4.3 碳纳米管薄膜的品质因子研究 | 第42页 |
| 3.5 SiO_2中间层对碳纳米管薄膜光电性能的影响 | 第42-46页 |
| 3.5.1 SiO_2中间层厚度对薄膜红外透过率影响 | 第44-45页 |
| 3.5.2 SiO_2中间层厚度对薄膜导电性能影响 | 第45-46页 |
| 3.5.3 SiO_2中间层厚度对薄膜品质因子影响 | 第46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 钨铁催化剂制备碳纳米管薄膜及其性能研究 | 第48-58页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 W-Fe催化剂的制备与处理 | 第48-51页 |
| 4.2.1 W-Fe催化剂的制备 | 第48-50页 |
| 4.2.2 W-Fe催化剂的预处理研究 | 第50-51页 |
| 4.3 不同反应参数对碳纳米管薄膜生长的影响 | 第51-54页 |
| 4.3.1 反应温度的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.2 CH_4/H_2流量的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 Ni催化剂与W-Fe催化剂所制备碳纳米管的比较 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
