摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-24页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 ZnO的基本性质 | 第12-17页 |
1.2.1 ZnO的晶体学结构 | 第12-13页 |
1.2.2 ZnO的能带结构 | 第13-15页 |
1.2.3 ZnO的热力学性质 | 第15-16页 |
1.2.4 ZnO的光学性质 | 第16-17页 |
1.2.5 ZnO的电学性质 | 第17页 |
1.3 ZnO的应用 | 第17-21页 |
1.3.1 压电器件 | 第17-18页 |
1.3.2 气敏器件 | 第18-19页 |
1.3.3 光电器件 | 第19-20页 |
1.3.4 透明电极 | 第20页 |
1.3.5 闪烁体薄膜应用 | 第20-21页 |
1.4 ZnO基透明导电薄膜的研究进展 | 第21-22页 |
1.5 本课题意义和研究内容 | 第22-24页 |
第二章 ZnO薄膜的制备及表征方法 | 第24-38页 |
2.1 ZnO薄膜的制备方法 | 第24-28页 |
2.1.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第24页 |
2.1.2 分子束外延(MBE) | 第24-25页 |
2.1.3 脉冲激光沉积(PLD) | 第25-26页 |
2.1.4 磁控溅射 | 第26-28页 |
2.2 磁控溅射技术 | 第28-33页 |
2.2.1 溅射 | 第28-29页 |
2.2.2 辉光放电原理 | 第29-30页 |
2.2.3 磁控溅射原理 | 第30-32页 |
2.2.4 磁控溅射的特点 | 第32-33页 |
2.3 ZnO薄膜的性能表征 | 第33-38页 |
2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第33-34页 |
2.3.2 扫描电镜(SEM) | 第34-36页 |
2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第36页 |
2.3.4 霍尔测试系统 | 第36-37页 |
2.3.5 紫外-可见光分光光度计(UV-VIS) | 第37-38页 |
第三章 溅射功率对BGZO薄膜的性能影响 | 第38-47页 |
3.1 实验设备 | 第38-39页 |
3.2 薄膜制备工艺 | 第39-41页 |
3.2.1 靶材 | 第39页 |
3.2.2 衬底及其清洗 | 第39-40页 |
3.2.3 薄膜制备过程 | 第40-41页 |
3.2.4 工艺参数 | 第41页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第41-46页 |
3.3.1 对薄膜沉积速率的影响 | 第41-42页 |
3.3.2 对薄膜结构性能的影响 | 第42-43页 |
3.3.3 对薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
3.3.4 对薄膜电学性能的影响 | 第44-45页 |
3.3.5 对薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-47页 |
第四章 薄膜厚度对BGZO薄膜性能的影响 | 第47-55页 |
4.1 薄膜制备工艺 | 第47-48页 |
4.1.1 靶材 | 第47页 |
4.1.2 衬底及其清洗 | 第47页 |
4.1.3 薄膜制备过程 | 第47-48页 |
4.1.4 工艺参数 | 第48页 |
4.2 结果与讨论 | 第48-54页 |
4.2.1 对薄膜结构性能的影响 | 第48-49页 |
4.2.2 对薄膜表面形貌的影响 | 第49-51页 |
4.2.3 对薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
4.2.4 对薄膜光学性能的影响 | 第52-54页 |
4.3 本章小结 | 第54-55页 |
第五章 衬底温度对BGZO薄膜性能的影响 | 第55-65页 |
5.1 薄膜制备工艺 | 第55-56页 |
5.1.1 靶材 | 第55页 |
5.1.2 衬底及其清洗 | 第55页 |
5.1.3 薄膜制备过程 | 第55页 |
5.1.4 工艺参数 | 第55-56页 |
5.2 结果与讨论 | 第56-63页 |
5.2.1 对薄膜结构性能的影响 | 第56-59页 |
5.2.2 对薄膜表面形貌的影响 | 第59-60页 |
5.2.3 对薄膜电学性能的影响 | 第60-62页 |
5.2.4 对薄膜光学性能的影响 | 第62-63页 |
5.3 本章小结 | 第63-65页 |
第六章 结论与展望 | 第65-67页 |
6.1 结论 | 第65-66页 |
6.2 展望 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-76页 |
作者在攻读硕士学位期间公开发表的文章和专利 | 第76-77页 |
致谢 | 第77页 |