| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管(TFT)的发展 | 第12-14页 |
| 1.3 IGZO-TFT的国内外研究动态 | 第14-17页 |
| 1.4 IGZO薄膜的基本理论 | 第17-19页 |
| 1.4.1 IGZO薄膜的特性 | 第17页 |
| 1.4.2 IGZO薄膜的导电机制 | 第17-19页 |
| 1.5 IGZO-TFT的应用 | 第19-20页 |
| 1.5.1 在液晶显示技术(LCD)方面的应用 | 第19页 |
| 1.5.2 在有机发光二极管显示(OLED)中的应用 | 第19-20页 |
| 1.5.3 在传感领域的应用 | 第20页 |
| 1.6 薄膜晶体管(TFT)的基本理论 | 第20-24页 |
| 1.6.1 TFT的工作原理 | 第20-22页 |
| 1.6.2 TFT的主要性能参数与获取方法 | 第22-24页 |
| 1.7 本论文的主要工作 | 第24-26页 |
| 第二章 a-IGZO TFT的制备技术及表征技术 | 第26-35页 |
| 2.1 a-IGZO TFT的制备技术 | 第26-30页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射法(RFMS) | 第26-28页 |
| 2.1.2 真空蒸发镀膜法 | 第28-29页 |
| 2.1.3 等离子增强化学气相沉积法(PECVD) | 第29-30页 |
| 2.2 a-IGZO TFT的表征与测试技术 | 第30-35页 |
| 2.2.1 能量色散谱仪(EDS) | 第31-32页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第32-33页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第34-35页 |
| 第三章 a-IGZO TFT的制备与工艺研究 | 第35-53页 |
| 3.1 薄膜晶体管（TFT）的结构 | 第35-36页 |
| 3.2 a-IGZO TFT的制备 | 第36-39页 |
| 3.2.1 清洗衬底 | 第36页 |
| 3.2.2 IGZO薄膜的制备 | 第36-38页 |
| 3.2.3 源漏电极的制备 | 第38-39页 |
| 3.3 氧氩比的优化 | 第39-45页 |
| 3.3.1 氧氩比对IGZO薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 氧氩比对a-IGZO TFT电学性能的影响 | 第41-45页 |
| 3.4 有源层厚度的优化 | 第45-48页 |
| 3.5 溅射功率的优化 | 第48-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 透明a-IGZO TFT的制备与性能优化 | 第53-72页 |
| 4.1 制备透明的a-IGZO TFT | 第53-54页 |
| 4.2 氮化硅绝缘层沉积温度的优化 | 第54-56页 |
| 4.3 退火温度的优化 | 第56-60页 |
| 4.3.1 退火温度对IGZO薄膜的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.2 退火温度对a-IGZO TFT电学性能的影响 | 第57-60页 |
| 4.4 制备透明的双有源层a-IGZO TFT | 第60-64页 |
| 4.4.1 透明的双有源层a-IGZO TFT的制备工艺 | 第60-61页 |
| 4.4.2 双有源层结构对a-IGZO TFT电学性能的影响 | 第61-64页 |
| 4.5 退火气氛的研究 | 第64-69页 |
| 4.5.1 退火气氛对双有源层a-IGZO TFT电学性能的影响 | 第64-67页 |
| 4.5.2 对不同退火气氛下a-IGZO TFT的分析 | 第67-69页 |
| 4.6 a-IGZO TFT稳定性的测试 | 第69-71页 |
| 4.7 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第80-81页 |
