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石墨阴极弧增强放电及ta-C涂层沉积研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-21页
    1.1 课题背景及意义第10-11页
    1.2 真空阴极电弧离子镀技术第11-14页
        1.2.1 真空阴极电弧离子镀原理第12-13页
        1.2.2 真空阴极弧离子镀特点及应用第13-14页
    1.3 ta-C涂层结构、应用及研究进展第14-20页
        1.3.1 ta-C涂层结构特点第14-15页
        1.3.2 ta-C涂层应用第15-17页
        1.3.3 ta-C涂层研究进展第17-20页
    1.4 本文主要研究内容第20-21页
第2章 实验设备与研究方法第21-28页
    2.1 实验设备及实验材料准备第21-23页
        2.1.1 实验设备第21-22页
        2.1.2 实验材料第22页
        2.1.3 试样准备第22-23页
    2.2 实验方法第23-26页
        2.2.1 石墨阴极弧增强放电特性测试第23-24页
        2.2.2 ta-C涂层制备第24-26页
    2.3 分析测试方法第26-28页
        2.3.1 扫描电子显微镜第26页
        2.3.2 Raman光谱第26页
        2.3.3 膜基结合强度测试第26-27页
        2.3.4 涂层纳米硬度测试第27页
        2.3.5 摩擦磨损第27-28页
第3章 石墨阴极弧增强放电特性研究第28-37页
    3.1 电弧电流对石墨阴极弧放电特性影响第28-29页
    3.2 线圈电流对石墨阴极弧放电特性影响第29-32页
    3.3 气压对石墨阴极弧放电特性影响第32-34页
    3.4 高脉冲电流对石墨阴极弧放电特性影响第34-36页
    3.5 本章小结第36-37页
第4章 ta-C涂层制备及组织结构研究第37-61页
    4.1 ta-C涂层制备工艺初步探索第37-38页
    4.2 ta-C涂层表面形貌分析第38-43页
        4.2.1 不同电弧电流ta-C表面形貌分析第38-39页
        4.2.2 不同沉积时间ta-C表面形貌分析第39-40页
        4.2.3 不同线圈电流ta-C表面形貌分析第40-42页
        4.2.4 不同脉冲平均电流ta-C表面形貌分析第42-43页
    4.3 ta-C涂层截面形貌分析第43-51页
        4.3.1 不同沉积时间ta-C截面形貌分析第43-45页
        4.3.2 不同电弧电流ta-C截面形貌分析第45-47页
        4.3.3 不同线圈电流ta-C截面形貌分析第47-49页
        4.3.4 不同脉冲平均电流ta-C截面形貌分析第49-51页
    4.4 ta-C涂层Raman光谱分析第51-60页
        4.4.1 不同线圈电流ta-C涂层Raman光谱分析第51-54页
        4.4.2 不同电弧电流ta-C涂层Raman光谱分析第54-56页
        4.4.3 不同沉积时间ta-C涂层Raman光谱分析第56-58页
        4.4.4 不同脉冲平均电流ta-C涂层Raman光谱分析第58-60页
    4.5 本章小结第60-61页
第5章 ta-C涂层力学性能研究第61-81页
    5.1 ta-C涂层膜基结合强度研究第61-67页
        5.1.1 沉积时间对膜基结合强度的影响第62-63页
        5.1.2 线圈电流对膜基结合强度的影响第63-65页
        5.1.3 电弧电流对膜基结合强度的影响第65-66页
        5.1.4 脉冲电流对膜基结合强度的影响第66-67页
    5.2 ta-C涂层硬度分析第67-71页
        5.2.1 线圈电流对涂层纳米硬度的影响第67-69页
        5.2.2 脉冲电流对涂层纳米硬度的影响第69-71页
    5.3 ta-C涂层摩擦磨损性能研究第71-79页
        5.3.1 线圈电流对ta-C涂层摩擦性能的影响第71-73页
        5.3.2 直流电弧电流对ta-C涂层摩擦性能的影响第73-75页
        5.3.3 沉积时间对ta-C涂层摩擦性能的影响第75-77页
        5.3.4 脉冲电流对ta-C涂层摩擦性能的影响第77-79页
    5.4 本章小结第79-81页
结论第81-82页
参考文献第82-86页
攻读学位期间发表的学术论文第86-88页
致谢第88页

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