铸造多晶硅位错及其热处理消除研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·太阳能光伏产业的发展背景及前景 | 第7-9页 |
| ·太阳能电池发电原理 | 第9-10页 |
| ·光伏产业的发展与多晶硅电池的主导地位 | 第10-14页 |
| ·光伏产业的发展 | 第10-13页 |
| ·多晶硅电池的主导地位 | 第13-14页 |
| ·铸造多晶硅生产技术 | 第14-15页 |
| ·铸造多晶硅锭中的位错及热过程影响研究 | 第15-19页 |
| ·铸造多晶硅中的杂质和位错 | 第15-17页 |
| ·铸造多晶硅中位错热处理消除技术 | 第17-19页 |
| ·本论文的研究目的和主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 铸造多晶硅内部位错及其对电学性能的影响 | 第20-29页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·实验方法 | 第20-21页 |
| ·材料试样 | 第20页 |
| ·仪器与试剂 | 第20-21页 |
| ·实验步骤 | 第21页 |
| ·结果与讨论 | 第21-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 高温退火对铸造多晶硅片中位错密度的影响 | 第29-38页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·实验方法 | 第29-32页 |
| ·材料与试样 | 第29-30页 |
| ·仪器 | 第30页 |
| ·实验过程 | 第30-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·退火温度对硅片中位错密度的影响 | 第32-35页 |
| ·退火后冷却方式对硅片中位错密度的影响 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 高温退火对铸造多晶硅块中位错密度的影响 | 第38-45页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验方法 | 第38-39页 |
| ·材料与试样 | 第38页 |
| ·仪器 | 第38页 |
| ·实验过程 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-44页 |
| ·高温退火对铸造多晶硅块中位错密度的影响 | 第39-41页 |
| ·退火后冷却过程对铸造多晶硅块中位错密度的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-47页 |
| ·主要的研究结论 | 第45页 |
| ·本课题的创新之处 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第52页 |
