| 摘要 | 第13-15页 |
| Abstract | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第18-29页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第18-20页 |
| 1.2 研究现状 | 第20-27页 |
| 1.2.1 理论研究 | 第20-23页 |
| 1.2.2 实验研究 | 第23-26页 |
| 1.2.3 仿真分析 | 第26-27页 |
| 1.3 研究思路和论文结构 | 第27-29页 |
| 1.3.1 研究思路 | 第27-28页 |
| 1.3.2 论文结构 | 第28-29页 |
| 第二章 低噪声放大器的工作原理及半导体器件仿真的物理模型 | 第29-39页 |
| 2.1 低噪声放大器的工作原理 | 第29-33页 |
| 2.1.1 BJT的工作原理 | 第30-31页 |
| 2.1.2 PHEMT的工作原理 | 第31-33页 |
| 2.2 半导体器件仿真的物理模型 | 第33-38页 |
| 2.2.1 BJT仿真的物理模型 | 第33-37页 |
| 2.2.2 PHEMT仿真的物理模型 | 第37-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 微波脉冲作用低噪声放大器效应机理的仿真研究 | 第39-63页 |
| 3.1 频率对半导体器件热效应影响的理论分析 | 第39-44页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第39-41页 |
| 3.1.2 数值计算 | 第41-44页 |
| 3.2 微波脉冲作用BJT的物理机制 | 第44-52页 |
| 3.2.1 BJT的器件结构 | 第44-46页 |
| 3.2.2 BJT非线性效应的物理机制 | 第46-47页 |
| 3.2.3 BJT损伤效应的物理机制 | 第47-52页 |
| 3.3 微波脉冲作用PHEMT的物理机制 | 第52-61页 |
| 3.3.1 PHEMT的器件结构 | 第52-54页 |
| 3.3.2 PHEMT非线性效应的物理机制 | 第54-56页 |
| 3.3.3 PHEMT损伤效应的物理机制 | 第56-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 微波脉冲作用低噪声放大器效应规律的实验研究 | 第63-86页 |
| 4.1 实验系统 | 第63-71页 |
| 4.1.1 实验对象 | 第63-68页 |
| 4.1.2 实验平台 | 第68-70页 |
| 4.1.3 实验规范 | 第70-71页 |
| 4.2 低噪声放大器非线性效应测试 | 第71-77页 |
| 4.2.1 BJT型低噪声放大器的非线性效应 | 第71-74页 |
| 4.2.2 PHEMT型低噪声放大器的非线性效应 | 第74-77页 |
| 4.3 低噪声放大器损伤效应及其规律 | 第77-84页 |
| 4.3.1 脉宽对低噪声放大器损伤功率的影响规律 | 第77-79页 |
| 4.3.2 器件偏压对低噪声放大器损伤功率的影响 | 第79-80页 |
| 4.3.3 频率对低噪声放大器损伤功率的影响规律 | 第80-81页 |
| 4.3.4 脉冲个数对低噪声放大器损伤功率的影响规律 | 第81-82页 |
| 4.3.5 典型波形分析 | 第82-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 半导体器件失效分析 | 第86-106页 |
| 5.1 电特性分析 | 第86-91页 |
| 5.1.1 BJT的电特性分析 | 第86-89页 |
| 5.1.2 PHEMT的电特性分析 | 第89-91页 |
| 5.2 微观损伤形貌分析 | 第91-97页 |
| 5.2.1 BJT的微观损伤形貌分析 | 第92-95页 |
| 5.2.2 PHEMT的微观损伤形貌分析 | 第95-97页 |
| 5.3 GaAs PHEMT MMIC的微观损伤形貌分析 | 第97-104页 |
| 5.3.1 HMC516的微观损伤形貌分析 | 第97-103页 |
| 5.3.2 AMMC5618的微观损伤形貌分析 | 第103-104页 |
| 5.4 本章小结 | 第104-106页 |
| 第六章 结论与展望 | 第106-111页 |
| 6.1 主要工作与结论 | 第106-108页 |
| 6.2 主要创新点 | 第108-109页 |
| 6.3 今后工作展望 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-120页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第120-122页 |
| 附录A 文中符号一览表 | 第122-123页 |
