| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 开关电源的发展历程 | 第8-9页 |
| 1.2 选题的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.4 本文的主要研究工作及意义 | 第12-14页 |
| 第2章 主电路的选择以及原理 | 第14-26页 |
| 2.1 DC-DC变换电路拓扑选择 | 第15-18页 |
| 2.1.1 正激变换器 | 第15-16页 |
| 2.1.2 反激变换器 | 第16-17页 |
| 2.1.3 推挽式变换器 | 第17页 |
| 2.1.4 基本隔离DC-DC变换器比较分析 | 第17-18页 |
| 2.2 反激变换器两种工作模式的分析 | 第18-25页 |
| 2.2.1 电流连续工作模式 | 第19-20页 |
| 2.2.2 电流断续工作模式 | 第20-21页 |
| 2.2.3 反激变换器CCM模式的工作原理与参数关系 | 第21-23页 |
| 2.2.4 反激变换器DCM模式的工作原理与参数关系 | 第23-24页 |
| 2.2.5 两种工作模式的比较 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 GaN的特性研究及其应用 | 第26-36页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理及分类 | 第26-27页 |
| 3.1.1 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第26页 |
| 3.1.2 GaN器件的分类及特点 | 第26-27页 |
| 3.2.GaN材料优势及应用 | 第27-31页 |
| 3.2.1 半导体材料性能分析 | 第27-29页 |
| 3.2.2 GaN开关管的应用优势 | 第29-30页 |
| 3.2.3 GaN应用存在的问题 | 第30-31页 |
| 3.3 主开关管的选型 | 第31页 |
| 3.4 低压GaN开关管特性 | 第31-35页 |
| 3.4.1 GaN开关管伏安特性 | 第32页 |
| 3.4.2 增强型GaN HFET导通及关断特性 | 第32-33页 |
| 3.4.3 增强型GaN HFET的反向导通特性 | 第33-34页 |
| 3.4.4 EPC2007开关管静、动态特性参数对比分析 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 平面变压器的研究 | 第36-46页 |
| 4.1 平面变压器的分类与性能特点 | 第36-37页 |
| 4.2 平面变压器是的研究与设计 | 第37-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 硬件电路设计与参数选择 | 第46-57页 |
| 5.1 高频驱动电路的选取及设计 | 第46-50页 |
| 5.1.1 常用的几种驱动电路介绍 | 第46-48页 |
| 5.1.2 驱动芯片选型及设计 | 第48-50页 |
| 5.2 RCD吸收电路设计 | 第50-52页 |
| 5.3 控制电路设计 | 第52-55页 |
| 5.4 电压反馈设计 | 第55-56页 |
| 5.5 输出电容计算 | 第56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第6章 实验结果及分析 | 第57-62页 |
| 6.1 实验原理图及PCB布局 | 第57-59页 |
| 6.2 实验波形及分析 | 第59-61页 |
| 6.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第7章 总结与展望 | 第62-63页 |
| 7.1 本文完成的工作 | 第62页 |
| 7.2 工作展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
