| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 存储器背景 | 第12-14页 |
| 1.2 Flash存储器 | 第14-16页 |
| 1.3 相变存储器 | 第16-22页 |
| 1.3.1 相变存储器概述 | 第16-21页 |
| 1.3.2 相变存储材料的性能优化 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的工作意义、目的和内容 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-30页 |
| 第二章 相变材料薄膜的制备及表征方法 | 第30-45页 |
| 2.1 二元硫系化合物材料的制备工艺 | 第30-35页 |
| 2.1.1 磁控溅射工艺介绍 | 第30-31页 |
| 2.1.2 相变材料薄膜的制备 | 第31-33页 |
| 2.1.3 二元硫系化合材料靶材的制备 | 第33-34页 |
| 2.1.4 薄膜快速热退火处理 | 第34-35页 |
| 2.2 二元化合物相变材料薄膜的性能表征 | 第35-43页 |
| 2.2.1 电阻随温度的变化特性(R-T特性) | 第35-37页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第37-38页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第38-40页 |
| 2.2.4 原子力显微(AFM) | 第40-41页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第41-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 Sb_2Te薄膜及其掺杂研究 | 第45-61页 |
| 3.1 掺杂的锑碲相变材料的研究背景 | 第45页 |
| 3.2 Sb_2Te及掺钛后薄膜的制备和表征 | 第45-46页 |
| 3.3 Sb_2Te及掺钛后薄膜的结构和性能表征 | 第46-56页 |
| 3.3.1 Sb_2Te中的钛掺杂组分的表征 | 第46-47页 |
| 3.3.2 薄膜的结晶性能表征 | 第47-49页 |
| 3.3.3 薄膜的X射线光电子能谱表征 | 第49-51页 |
| 3.3.4 钛掺杂的Sb_2Te薄膜的扫描电子显微镜分析 | 第51-52页 |
| 3.3.5 薄膜的原子力显微镜表征分析 | 第52-53页 |
| 3.3.6 薄膜的电阻依赖温度的变化特性 | 第53-54页 |
| 3.3.7 钛掺杂的Sb_2Te薄膜的数据保持性能 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第四章 GeTe_4薄膜及其掺杂研究 | 第61-76页 |
| 4.1 掺杂GeTe_4的相变材料研究背景 | 第61-62页 |
| 4.2 GeTe_4薄膜及掺杂后的GeTe_4薄膜的制备 | 第62-63页 |
| 4.3 GeTe_4薄膜及掺杂Cu的GeTe_4薄膜 | 第63-65页 |
| 4.3.1 GeTe_4薄膜及掺杂Cu的GeTe_4薄膜的组分表征 | 第63-64页 |
| 4.3.2 GeTe_4薄膜及掺杂Cu的GeTe_4薄膜的电学性能表征 | 第64-65页 |
| 4.4 GeTe_4薄膜及掺杂Al的GeTe_4薄膜 | 第65-68页 |
| 4.4.1 GeTe_4薄膜及掺杂Al的GeTe_4薄膜的组分表征 | 第65-66页 |
| 4.4.2 GeTe_4薄膜及掺杂Al的GeTe_4薄膜的电学性能表征 | 第66-68页 |
| 4.5 GeTe_4薄膜及掺杂Ti的GeTe_4薄膜 | 第68-71页 |
| 4.5.1 GeTe_4薄膜及掺杂Ti的GeTe_4薄膜的组分表征 | 第68-69页 |
| 4.5.2 GeTe_4薄膜及掺杂Ti的GeTe_4薄膜的电学性能表征 | 第69-70页 |
| 4.5.3 GeTe_4薄膜及掺杂Ti的GeTe_4薄膜的结晶性能表征 | 第70-71页 |
| 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第五章 结论与展望 | 第76-79页 |
| 5.1 结论 | 第76-77页 |
| 5.2 展望 | 第77-79页 |
| Publication List | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
