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高价态Mo(Ⅵ)/Mn(Ⅴ)配合物催化羰基化合物硅氢加成反应的DFT研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第8-25页
    1.1 引言第8页
    1.2 金属有机化合物的基元反应第8-11页
        1.2.1 配体的解离与配位第8-9页
        1.2.2 迁移插入第9-10页
        1.2.3 氧化加成第10-11页
        1.2.4 还原消除第11页
    1.3 过渡金属络合物催化不饱和底物的硅氢加成反应机理第11-19页
        1.3.1 配位加成机理第11-16页
            1.3.1.1 Chalk-Harrod机理和Modified Chalk-Harrod机理第11-12页
            1.3.1.2 OM机理第12-13页
            1.3.1.3 CM机理第13页
            1.3.1.4 Gade机理第13-14页
            1.3.1.5 [2+2]加成机理第14-16页
        1.3.2 离子加成机理第16-18页
            1.3.2.1 Glaser-Tilley机理第16页
            1.3.2.2 离子外球面机理第16-18页
        1.3.3 自由基加成机理第18-19页
    1.4 本论文的主要研究内容第19-20页
    参考文献第20-25页
第二章 理论研究的计算方法第25-31页
    2.1 引言第25页
    2.2 量子化学计算方法第25-28页
        2.2.1 从头算方法第25-26页
        2.2.2 半经验方法第26页
        2.2.3 密度泛函理论第26-28页
    参考文献第28-31页
第三章 高价态双氧钼(Ⅵ)配合物催化二苯酮的硅氢加成反应机理研究第31-59页
    3.1 引言第31页
    3.2 过渡金属络合物催化硅氢加成反应机理研究背景第31-35页
        3.2.1 氢化机理第31-33页
            3.2.1.1 Chalk-Harrod机理和Modified Chalk-Harrod机理第32页
            3.2.1.2 [2+2]加成机理第32-33页
        3.2.2 Glaser-Tilley机理第33-34页
        3.2.3 离子外球面机理第34-35页
    3.3 课题研究中应用的计算方法第35-36页
    3.4 结果与讨论第36-45页
        3.4.1 离子外球面路径第36-39页
            3.4.1.1 硅烷(PhMe_2SiH)配位到MoO_2Cl_2配合物的Mo中心第36-37页
            3.4.1.2 二苯酮的还原第37-38页
            3.4.1.3 H原子转移第38-39页
        3.4.2 [2+2]加成路径第39-42页
            3.4.2.1 硅烷(PhMe_2SiH)的加成第39-40页
            3.4.2.2 二苯酮(PhC=OPh)的还原第40页
            3.4.2.3 反-[2+2]加成第40-42页
        3.4.3 MoO_2Cl_2/HSicat体系催化醛/酮还原反应的离子外球面路径与[2+2]加成路径的比较第42-43页
        3.4.4 离子外球面路径中速率决定步骤的研究第43-44页
        3.4.5 小结第44-45页
    3.5 本章小结第45-46页
    参考文献第46-59页
第四章 高价态Mn(V)≡N配合物催化苯甲醛的硅氢加成反应机理研究第59-82页
    4.1 引言第59-60页
    4.2 高氧化态过渡金属配合物催化硅氢加成反应的机理研究背景第60-63页
        4.2.1 [2+2]加成机理第60-61页
        4.2.2 离子外球面机理第61-62页
        4.2.3 羰基预配位机理第62-63页
    4.3 课题研究应用的计算方法第63页
    4.4 结果与讨论第63-74页
        4.4.1 路径a.[2+2]加成机理第63-64页
        4.4.2 路径b.以氮配体为中心活化Si-H键的硅烷化反应第64-66页
            4.4.2.1 氮配体活化硅烷中的Si-H键第64-65页
            4.4.2.2 苯甲醛的还原第65-66页
            4.4.2.3 H原子的转移第66页
        4.4.3 路径c.以Mn(Ⅴ)为中心活化Si-H键的硅烷化反应第66-68页
            4.4.3.1 硅烷配位到Mn(Ⅴ)(?)N络合物Mn(Ⅴ)中心第67页
            4.4.3.2 苯甲醛的还原第67-68页
            4.4.3.3 H原子的转移第68页
        4.4.4 路径d.以Mn(Ⅱ)为活化中心催化的硅烷化反应第68-71页
            4.4.4.1 硅烷添加到金属Mn(Ⅱ)中心第69-70页
            4.4.4.2 苯甲醛的还原第70页
            4.4.4.3 H原子的转移第70-71页
        4.4.5 路径e.羰基预配位机理第71-74页
            4.4.5.1 苯甲醛的还原第72页
            4.4.5.2 硅烷加成,H-Si/Mn-O σ键复分解第72-74页
    4.5 本章小结第74-75页
    参考文献第75-82页
第五章 结论第82-83页
在读期间发表的学术论文及研究成果第83-84页
致谢第84页

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