| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 缩略词 | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-15页 |
| 1.1.1 封装集成技术的发展 | 第11-14页 |
| 1.1.2 电磁兼容挑战 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的主要研究内容和章节安排 | 第17-18页 |
| 第2章 基于WB-QFP封装的EMI风险探究 | 第18-42页 |
| 2.1 EMI辐射的基本原理 | 第18-23页 |
| 2.1.1 差分线的基本结构和工作原理 | 第18-19页 |
| 2.1.2 共模电流和差分电流的基本辐射模型 | 第19-22页 |
| 2.1.3 常见的EMI风险和抑制措施 | 第22-23页 |
| 2.2 基于WB-QFP封装的EMI风险探究 | 第23-30页 |
| 2.2.1 基于实际WB-QFP封装的仿真模型介绍 | 第23-24页 |
| 2.2.2 键合线引起的EMI风险 | 第24-28页 |
| 2.2.3 表层介质厚度和基板介电常数对EMI辐射的影响 | 第28-30页 |
| 2.3 基于等效电路预测WB-QFP封装中键合线的EMI风险 | 第30-40页 |
| 2.3.1 基于全波仿真分析S参数与辐射的关联 | 第30-35页 |
| 2.3.2 键合线等效电路的构建及电路参数提取 | 第35-38页 |
| 2.3.3 等效电路的仿真和分析 | 第38-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第3章 基于WB-BGA封装的EMI风险探究 | 第42-51页 |
| 3.1 基于实际WB-BGA封装的仿真模型介绍 | 第42-43页 |
| 3.2 EMI风险的初步探究和分析 | 第43-45页 |
| 3.3 封装Lid引起的EMI风险 | 第45-48页 |
| 3.4 键合线引起的EMI风险 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 针对WB-BGA封装EMI风险的解决方案研究 | 第51-68页 |
| 4.1 波导谐振腔理论 | 第51-52页 |
| 4.2 基于EBG结构设计新型封装Lid | 第52-57页 |
| 4.3 阻性过孔和阻性Lid的研究 | 第57-60页 |
| 4.4 键合线返回路径的设计 | 第60-63页 |
| 4.5 WB-BGA封装的实验测试板设计 | 第63-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 基于石墨烯的EMI屏蔽结构研究 | 第68-80页 |
| 5.1 常见的EMI屏蔽结构及原理 | 第68-69页 |
| 5.2 石墨烯电学特性的建模及理论分析 | 第69-72页 |
| 5.3 基于石墨烯周期性图案的EMI屏蔽结构设计 | 第72-78页 |
| 5.3.1 基于石墨烯周期性图案的宽带可调EMI屏蔽结构 | 第72-76页 |
| 5.3.2 基于石墨烯双周期性图案的宽带EMI屏蔽结构 | 第76-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-80页 |
| 第6章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 6.1 工作总结 | 第80-81页 |
| 6.2 工作展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 个人简介 | 第87-88页 |
| 主要工作及研究成果 | 第88页 |
