| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第16-18页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第18-20页 |
| 1.3 本轮内容及主要安排 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN HEMT器件及MMIC制作工艺 | 第22-32页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT结构与工作原理 | 第22-25页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT器件结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN器件工作原理 | 第23-25页 |
| 2.2 GaN MMIC制造工艺 | 第25-31页 |
| 2.2.1 样片表面清洗 | 第25页 |
| 2.2.2 欧姆接触 | 第25-26页 |
| 2.2.3 台面刻蚀 | 第26页 |
| 2.2.4 表面钝化、栅槽刻蚀 | 第26-27页 |
| 2.2.5 栅金属蒸发 | 第27页 |
| 2.2.6 互连金属蒸发（第一层金属） | 第27页 |
| 2.2.7 沉积薄膜电阻 | 第27-28页 |
| 2.2.8 二次钝化（沉积电容介质）、刻蚀开孔 | 第28页 |
| 2.2.9 空气桥桥墩光刻、第二层金属蒸镀 | 第28-29页 |
| 2.2.10 背孔刻蚀、背面镀金 | 第29-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 MMIC无源及有源器件模型 | 第32-60页 |
| 3.1 去嵌入 | 第32-40页 |
| 3.1.1 TRL非对称去嵌入算法 | 第33-37页 |
| 3.1.2 TRL去嵌入结构设计及算法验证 | 第37-40页 |
| 3.2 MMIC无源器件模型 | 第40-54页 |
| 3.2.1 MIM电容 | 第40-44页 |
| 3.2.2 螺旋电感 | 第44-50页 |
| 3.2.3 薄膜电阻 | 第50-53页 |
| 3.2.4 背面通孔 | 第53-54页 |
| 3.3 GaN HEMT器件小信号模型 | 第54-56页 |
| 3.3.1 寄生电容Cpg，Cpd，Cgsi，Cdsi，Cgdi | 第55页 |
| 3.3.2 寄生电感Lg，Ld，Ls | 第55页 |
| 3.3.3 寄生电阻Rg，Rd，Rs | 第55-56页 |
| 3.3.4 本征电容Cgs，Cgd，Cds | 第56页 |
| 3.3.5 跨导gm、跨导延迟因子 τm | 第56页 |
| 3.3.6 内部栅源电阻Ri、输出导纳gds | 第56页 |
| 3.4 GaN HEMT大信号模型 | 第56-59页 |
| 3.4.1 EEHEMT模型 | 第57-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 MMIC放大器设计 | 第60-74页 |
| 4.1 微波功率放大器主要技术指标 | 第60-62页 |
| 4.2 MMIC功率放大器设计 | 第62-72页 |
| 4.2.1 GaN HEMT结构尺寸设计 | 第62-65页 |
| 4.2.2 电路设计 | 第65-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 论文内容总结 | 第74-75页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |