致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目次 | 第7-9页 |
1 绪论 | 第9-19页 |
·课题背景 | 第9-10页 |
·国内外导电率测量研究的现状 | 第10-13页 |
·普通导电率测量方法 | 第10-11页 |
·四电极测量法 | 第11-13页 |
·原子力显微镜的发展 | 第13-16页 |
·本文研究目标及意义 | 第16-17页 |
·本文主要研究内容 | 第17-18页 |
·本章小结 | 第18-19页 |
2 亚微米导电率的计算模型 | 第19-40页 |
·引言 | 第19页 |
·四电极导电率测量原理 | 第19-24页 |
·平面亚微米导电率模型建立和修正 | 第24-39页 |
·镜像法 | 第24-29页 |
·格林函数法 | 第29-36页 |
·经验公式法 | 第36-37页 |
·有限元分析法 | 第37-39页 |
·本章小结 | 第39-40页 |
3 平面亚微米导电率测量系统研制 | 第40-57页 |
·系统的总体设计 | 第40-41页 |
·系统原理 | 第41页 |
·系统硬件平台 | 第41-53页 |
·新型四电极AFM探针的研制 | 第41-47页 |
·亚微米导电率测量系统控制电路设计 | 第47-50页 |
·原子力显微镜平台改造 | 第50-53页 |
·系统软件平台 | 第53-56页 |
·LabVIEW平台简介 | 第53-54页 |
·基于LabVIEW的测量系统软件实验 | 第54-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
4 平面亚微米导电率测量实验及分析 | 第57-75页 |
·引言 | 第57页 |
·普通四电极模式的平面导电率测量 | 第57-61页 |
·传统四电极法扫描平台搭建 | 第57-59页 |
·扫描实验及分析 | 第59-60页 |
·传统四电极扫描的不足 | 第60-61页 |
·新型平面亚微米导电率测量系统的形貌扫描能力实验 | 第61-63页 |
·二维形貌扫描 | 第61-62页 |
·三维形貌扫描 | 第62-63页 |
·新型平面亚微米导电率测量系统的导电率扫描实验及分析(铝薄膜导线) | 第63-71页 |
·铝薄膜导线制作 | 第63-64页 |
·铝导线测量实验 | 第64-67页 |
·实验数据分析 | 第67-71页 |
·新型平面亚微米导电率测量系统的导电率扫描实验及分析(ITO薄膜) | 第71-74页 |
·ITO薄膜 | 第71-72页 |
·ITO薄膜测量实验 | 第72-73页 |
·实验数据分析 | 第73-74页 |
·本章小结 | 第74-75页 |
5 平面亚微米导电率测量方法在MEMS器件无损检测中的应用 | 第75-79页 |
·MEMS的可靠性 | 第75页 |
·MEMS机械可靠性评价 | 第75-77页 |
·新方法在可靠性无损检测的优势 | 第77-78页 |
·本章小结 | 第78-79页 |
6 结论和展望 | 第79-81页 |
·结论 | 第79-80页 |
·研究成果 | 第79页 |
·改进点 | 第79-80页 |
·展望 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-84页 |
硕士期间发表的论文及研究成果 | 第84页 |