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场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案

中文摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-13页
    1.1 课题概述第8-9页
        1.1.1 课题来源第8-9页
    1.2 基本概念第9-10页
        1.2.1 贴片工艺第9页
        1.2.2 裂片的概述及裂片机理第9-10页
    1.3 实验设计第10页
    1.4 研究的方向和流程第10-11页
    1.5 本课题主要工作第11-13页
        1.5.1 主要研究工作及思路第11页
        1.5.2 本文的组织架构及创新点第11-13页
第二章 场截止沟道IGBT、UV膜和顶针机构的介绍第13-17页
    2.1 场截止沟道IGBT第13-14页
    2.2 UV膜的构造第14-15页
    2.3 顶针机构的介绍第15-17页
第三章 对于异种芯片的实验设计第17-25页
    3.1 引言第17页
    3.2 异种芯片实验设计方案第17-20页
        3.2.1 抗断强度理论第17-20页
    3.3 实验结果及分析第20-24页
    3.4 实验设计结论第24-25页
第四章 对于UV膜参数优化的实验设计第25-36页
    4.1 引言第25页
    4.2 UV膜的实验设计方案第25-29页
        4.2.1 紫外光照射时间的实验设计第25-29页
    4.3 紫外光照射时间的实验设计裂片组现象机理分析第29-35页
    4.4 UV膜实验设计结论第35-36页
第五章 对于贴片顶针的实验设计第36-46页
    5.1 引言第36页
    5.2 顶针的实验设计方案第36-40页
        5.2.1 顶针机构的实验设计第36-39页
        5.2.2 拾取头的分析第39-40页
    5.3 顶针实验设计的结论第40-46页
第六章 实验设计的总结第46-48页
    6.1 引言第46页
    6.2 实验设计总结第46页
    6.3 解决方案的可靠性确认第46-47页
    6.4 展望第47-48页
参考文献第48-49页
致谢第49页

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