致谢 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
1 绪论 | 第13-16页 |
2 第一性原理计算的理论基础和方法 | 第16-21页 |
·理论基础 | 第16页 |
·绝热近似 (Born-Oppenheimer近似) | 第16-17页 |
·哈特利-福克近似 (Hartree-Fock近似) | 第17-18页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第18页 |
·Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
·交换关联势 | 第19页 |
·局域密度近似 | 第19页 |
·广义梯度近似 | 第19页 |
·第一性原理计算软件简介 | 第19-21页 |
3.硫化锡和二硫化钼体材料的电子结构和光学性质 | 第21-26页 |
·前言 | 第21页 |
·计算模型 | 第21-22页 |
·SnS块体的电子结构分析 | 第22页 |
·SnS块体的光学性质分析 | 第22-24页 |
·MoS_2块体的电子结构分析 | 第24页 |
·MoS_2块体的光学性质分析 | 第24-25页 |
·本章小结 | 第25-26页 |
4 硫化锡电子结构和光学性质的量子尺寸效应 | 第26-35页 |
·引言 | 第26-27页 |
·计算方法和模型 | 第27页 |
·计算结果与讨论 | 第27-33页 |
·单层硫化锡的结构稳定性与电子结构 | 第27-29页 |
·尺寸效应对硫化锡稳定性和电子结构的影响 | 第29-32页 |
·尺寸效应对硫化锡光学性质的影响 | 第32-33页 |
·本章小结 | 第33-35页 |
5. MoS_2纳米结构材料的催化性质 | 第35-45页 |
·引言 | 第35-36页 |
·计算方法和模型 | 第36-37页 |
·计算方法 | 第36页 |
·结构模型 | 第36-37页 |
·计算结果与讨论 | 第37-44页 |
·NO_2分子在完整的单层MoS_2表面的吸附情况 | 第37-38页 |
·NO_2在带有一个S空位缺陷的单层MoS_2表面的吸附情况 | 第38-40页 |
·NO_2在带有Mo边缘的单层MoS_2表面的吸附情况 | 第40-42页 |
·NO_2在带有S边缘的单层MoS_2表面的吸附情况 | 第42-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
6 总结 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-52页 |
作者简历 | 第52页 |