| 摘要 | 第1-12页 |
| Abstract | 第12-18页 |
| 缩略词 | 第18-19页 |
| 前言 | 第19-20页 |
| 第一部分 高渗对细胞辐射敏感性的影响 | 第20-37页 |
| 材料与方法 | 第21-27页 |
| 一、实验材料 | 第21-23页 |
| 二、实验方法 | 第23-27页 |
| 结果 | 第27-35页 |
| 讨论 | 第35-37页 |
| 第二部分 高渗减轻细胞辐射敏感性的机制研究 | 第37-56页 |
| 第一章 高渗溶液通过引起细胞 RVI 而激活 Akt1，促进细胞照后存活 | 第38-45页 |
| 材料与方法 | 第38-42页 |
| 一、实验材料 | 第38-40页 |
| 二、实验方法 | 第40-42页 |
| 结果 | 第42-45页 |
| 第二章 RVI 引起的 K+内流对细胞辐射敏感性的影响 | 第45-52页 |
| 材料与方法 | 第46-47页 |
| 一、实验材料 | 第46页 |
| 二、实验方法 | 第46页 |
| 三、统计处理 | 第46-47页 |
| 结果 | 第47-52页 |
| 第三章 高渗对细胞氧化应激的影响 | 第52-54页 |
| 材料与方法 | 第52-53页 |
| 一、实验材料 | 第52页 |
| 二、实验方法 | 第52-53页 |
| 结果 | 第53-54页 |
| 讨论 | 第54-56页 |
| 全文总结 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 综述 | 第61-68页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 在读期间发表论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |