考虑结深的超短沟道MOSFET二维半解析模型
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 前言 | 第9-17页 |
| ·半导体技术的发展趋势 | 第9-10页 |
| ·当前MOSFET模型的研究现状 | 第10-13页 |
| ·超浅结MOSFET器件的发展现状 | 第13-14页 |
| ·半解析法理论依据 | 第14-15页 |
| ·各章节内容介绍 | 第15-17页 |
| 第2章 深结MOSFET二维电势半解析模型 | 第17-29页 |
| ·绪言 | 第17页 |
| ·泊松方程及其边界条件 | 第17-19页 |
| ·Ⅰ区电势的拉氏方程解 | 第19-20页 |
| ·Ⅱ区电势的泊松方程解 | 第20-22页 |
| ·特征函数展开法求解待定系数 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第3章 考虑结深的MOSFET二维电势半解析模型 | 第29-53页 |
| ·绪言 | 第29页 |
| ·源、漏结对矩形等效源的影响 | 第29-31页 |
| ·模型矩形等效源的确定 | 第31-33页 |
| ·二维电势定解问题的确定 | 第33-35页 |
| ·求解电势定解问题 | 第35-40页 |
| ·求解Ⅱ区和Ⅲ区的衔接条件和边界条件 | 第40-44页 |
| ·求解Ⅰ区和Ⅱ区的衔接条件 | 第44-47页 |
| ·深结模型和超浅结二维电势模型的区别与讨论 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 耗尽层厚度模型 | 第53-75页 |
| ·绪言 | 第53页 |
| ·经典耗尽层厚度模型介绍 | 第53-57页 |
| ·已有的短沟道耗尽层厚度模型 | 第57-62页 |
| ·深结短沟道MOSFET耗尽层厚度模型 | 第62-65页 |
| ·深结长沟道MOSFET耗尽层厚度模型 | 第65-66页 |
| ·考虑结深的耗尽层厚度模型 | 第66-69页 |
| ·模型算法计算量的比较 | 第69-72页 |
| ·几种不同的耗尽层厚度模型的区别与讨论 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第5章 亚阈值电流模型 | 第75-85页 |
| ·绪言 | 第75页 |
| ·现有的亚阈值电流模型介绍 | 第75-78页 |
| ·基于二维半解析电势模型的亚阈值电流模型 | 第78-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第6章 模型验证与讨论 | 第85-103页 |
| ·绪言 | 第85-86页 |
| ·深结MOSFET二维电势模型验证 | 第86-92页 |
| ·考虑结深的半解析二维电势模型验证 | 第92-96页 |
| ·耗尽层厚度模型验证 | 第96-98页 |
| ·亚阈值电流模型验证 | 第98-100页 |
| ·阈值电压的仿真与分析 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第7章 总结 | 第103-105页 |
| ·本文总结 | 第103-104页 |
| ·对未来工作的展望 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第117页 |
