| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GaN 基本的物理性质、应用和研究现状 | 第10-13页 |
| ·GaN 基本物理性质 | 第10页 |
| ·GaN 的应用和研究现状 | 第10-13页 |
| ·GaN 薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·氢化物气相外延（HVPE） | 第13页 |
| ·激光蒸发法 | 第13-14页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第14-15页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第15页 |
| ·液相外延生长（LPE） | 第15-16页 |
| ·磁控溅射 | 第16页 |
| ·本论文的研究内容 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第2章 基本理论与方法 | 第18-28页 |
| ·第一性原理介绍 | 第18页 |
| ·固体中电子的运动 | 第18-20页 |
| ·导带 | 第19页 |
| ·价带与禁带 | 第19-20页 |
| ·布洛赫定理 | 第20页 |
| ·密度泛函的基本理论 | 第20-26页 |
| ·绝热近似（Born-Oppenheimer）方法 | 第21页 |
| ·Hohenbenberg-Kohn 定理 | 第21-23页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第23-24页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第24-25页 |
| ·广义梯度近似（GGA） | 第25-26页 |
| ·WIEN2K 软件包简介 | 第26-27页 |
| ·WIEN2K 的主要模块及其功能 | 第26-27页 |
| ·WIEN2K 的计算步骤 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 闪锌矿 GaN 的晶格常数、能带结构及光学性质 | 第28-35页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第28-29页 |
| ·理论模型 | 第28-29页 |
| ·计算方法 | 第29页 |
| ·能带结构和态密度 | 第29-31页 |
| ·光学性质 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Mg、Al、Si 的掺入对 GaN 体系的影响 | 第35-41页 |
| ·晶格常数 | 第35-36页 |
| ·禁带宽度和能带分析 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第5章 In 掺杂体系的电子结构和光学性质 | 第41-47页 |
| ·理论模型 | 第41-42页 |
| ·计算方法 | 第42页 |
| ·能带和态密度 | 第42-44页 |
| ·光学性质 | 第44页 |
| ·吸收系数 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 作者简介 | 第53页 |
