| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-16页 |
| ·GaN 材料的极化效应 | 第10-12页 |
| ·GaN 基紫外/红外光电探测 | 第12-16页 |
| ·GaN 基紫外/红外光电探测的发展现状 | 第16-19页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第19-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 超晶格仿真 | 第22-50页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格的计算 | 第22-30页 |
| ·方形势阱中粒子的运动特性 | 第22-25页 |
| ·薛定谔-泊松方程的自洽求解 | 第25-26页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格中的极化计算 | 第26-30页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格中的掺杂 | 第30-35页 |
| ·势垒和势阱层结构参数的影响 | 第35-47页 |
| ·GaN 势垒参数的影响 | 第35-37页 |
| ·势垒层的宽度与 Al 组分 | 第37-40页 |
| ·缓冲层和帽层的选择 | 第40-45页 |
| ·温度 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-50页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 超晶格材料的外延生长及表征 | 第50-78页 |
| ·MOCVD 系统 | 第50-57页 |
| ·MOCVD 生长 GaN 的物化过程 | 第50-51页 |
| ·GaN 薄膜生长模式 | 第51-53页 |
| ·GaN 薄膜外延生长的工艺流程 | 第53-57页 |
| ·MOCVD 系统介绍 | 第57-59页 |
| ·材料表征 | 第59-69页 |
| ·高分辨 X 射线衍射仪（HRXRD） | 第59-63页 |
| ·HRXRD 实验数据分析 | 第63-69页 |
| ·原子力显微镜测试结果分析 | 第69-72页 |
| ·TEM 测试结果分析 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-78页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 超晶格红外/紫外光学特性 | 第78-112页 |
| ·AlGaN/GaN 选择吸收定则 | 第78-83页 |
| ·样片的制备 | 第83-89页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格红外吸收特性测试 | 第89-106页 |
| ·测试平台 | 第89-91页 |
| ·探测波长的选择 | 第91-93页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格红外吸收光谱 | 第93-106页 |
| ·AlGaN/GaN 紫外吸收特性 | 第106-110页 |
| ·PL 谱介绍[8] | 第106-107页 |
| ·常温 PL 谱 | 第107-108页 |
| ·低温 PL 谱 | 第108-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 第五章 AlGaN/GaN 超晶格电学特性 | 第112-120页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格界面受主型陷阱 | 第112-117页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格实现 2DHG | 第117-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 第六章 成果、不足和展望 | 第120-122页 |
| ·成果和不足 | 第120-121页 |
| ·AlGaN/GaN 超晶格应用前景展望 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-134页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第134-136页 |
| 发表论文 | 第134页 |
| 专利授权 | 第134-135页 |
| 参加科研项目 | 第135-136页 |