| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-33页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·光电探测器 | 第9-15页 |
| ·光电二极管的工作原理 | 第9-10页 |
| ·光电二极管的参数 | 第10-11页 |
| ·Si/ZnO 异质结光电二极管的发展 | 第11-15页 |
| ·太阳能电池 | 第15-26页 |
| ·太阳能电池的分类 | 第15-24页 |
| ·太阳能电池性能的主要参数 | 第24-26页 |
| ·本文主要的研究工作 | 第26页 |
| ·参考文献 | 第26-33页 |
| 第二章 硅纳米线阵列结构的制备及表面修饰 | 第33-46页 |
| ·引言 | 第33-36页 |
| ·硅纳米线阵列结构的制备方法 | 第34-36页 |
| ·硅纳米线阵列结构的表面修饰方法 | 第36页 |
| ·实验材料和设备 | 第36-38页 |
| ·本论文硅纳米线阵列制备所采用的方法 | 第38-40页 |
| ·本论文硅纳米线阵列表面修饰所采用的方法 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| ·参考文献 | 第42-46页 |
| 第三章 基于 SiNWs/ZnO 的高效光电二极管的研究 | 第46-62页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验材料与设备 | 第47-48页 |
| ·实验材料 | 第47-48页 |
| ·实验仪器 | 第48页 |
| ·器件的制备与测量 | 第48-50页 |
| ·器件的制备 | 第48-50页 |
| ·器件的测量 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-59页 |
| ·器件结构 | 第50-52页 |
| ·上、下电极对 Si/ZnO 光电二极管器件的影响 | 第52页 |
| ·Si/ZnO 光电二极管器件的机理解释 | 第52-54页 |
| ·ZnO 纳米颗粒悬浮液的浓度对 Si/ZnO 器件性能的影响 | 第54-55页 |
| ·不同器件结构对 Si/ZnO 光电二极管响应率的影响 | 第55-57页 |
| ·Si/ZnO 光电器件的 I-V 分析以及 C-V 分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59页 |
| ·参考文献 | 第59-62页 |
| 第四章 基于纳米级有机钝化层的杂化太阳能电池 | 第62-83页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·实验材料与设备 | 第63-64页 |
| ·实验材料 | 第63-64页 |
| ·实验仪器 | 第64页 |
| ·器件的制备与测量 | 第64-66页 |
| ·器件的制备 | 第64-66页 |
| ·器件测量 | 第66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-78页 |
| ·不同种类有机薄膜钝化层对器件性能的影响 | 第66-71页 |
| ·不同种类薄膜钝化层的表面张力的比较 | 第71-72页 |
| ·不同种类薄膜钝化层上 PEDOT:PSS 导电薄膜形貌比较 | 第72-73页 |
| ·基于不同有机钝化层的杂化太阳能电池的暗电流-电压曲线的分析 | 第73-75页 |
| ·不同种类薄膜钝化层的杂化太阳能电池的瞬态电压、瞬态电流分析 | 第75-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| ·参考文献 | 第79-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
