摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-11页 |
第一章 扫描隧道显微镜、光电子能谱及脉冲激光沉积简介 | 第11-36页 |
·扫描隧道显微镜简介 | 第11-20页 |
·STM的组成结构和扫描模式 | 第12-13页 |
·STM的基本原理 | 第13-16页 |
·STM的优缺点 | 第16-20页 |
·光电子能谱技术简介 | 第20-24页 |
·脉冲激光沉积技术简介 | 第24-28页 |
·脉冲沉积系统及沉积镀膜原理 | 第25-26页 |
·PLD过程中影响薄膜质量的技术参数 | 第26-27页 |
·PLD技术的优缺点 | 第27-28页 |
·本论文研究所使用的仪器 | 第28-33页 |
·本论文所使用的VT-PLD系统 | 第28-32页 |
·本论文所使用的LT STM-ARPES系统 | 第32-33页 |
·本论文的研究工作 | 第33-34页 |
参考文献 | 第34-36页 |
第二章 二氧化钛简介及锐钛矿相TiO_2(001)单晶薄膜制备方法研究 | 第36-62页 |
·二氧化钛材料简介 | 第36-38页 |
·锐钛矿相二氧化钛在表面科学中的重要性及研究进展 | 第38-42页 |
·脉冲激光沉积法制备锐钛矿相TiO_2(001)单晶薄膜的研究进展 | 第42-48页 |
·衬底的选取和预处理方法 | 第44-47页 |
·衬底温度、氧压和沉积速率对薄膜质量的影响 | 第47-48页 |
·锐钛矿相TiO_2(001)单晶薄膜的制备和初步表征 | 第48-56页 |
·实验方法 | 第49-52页 |
·实验结果和讨论 | 第52-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-62页 |
第三章 锐钛矿相TiO_2(001)-1×4单晶薄膜表面重构、点缺陷及其对小分子吸附性质的扫描隧道显微术研究 | 第62-113页 |
·背景介绍 | 第62-73页 |
·锐钛矿相TiO_2(001)-1×4表面结构研究进展 | 第62-69页 |
·水、氧气分子在锐钛矿相TiO_2(001)-1×4表面吸附行为的研究 | 第69-73页 |
·实验方法、结果和讨论 | 第73-105页 |
·实验方法 | 第73页 |
·完全氧化anatase TiO_2(001)-1×4单晶薄膜的表面结构和表面点缺陷 | 第73-77页 |
·暗点型缺陷覆盖度与衬底温度的关系 | 第77-80页 |
·还原性anatase TiO_2(001)-1×4单晶薄膜的表面点缺陷 | 第80-81页 |
·氧化性样品和还原性样品电子结构的研究 | 第81-84页 |
·小分子在锐钛矿相TiO_2(001)-1×4表面吸附行为的研究 | 第84-87页 |
·氧气在锐钛矿相TiO_2(001)-1×4表面吸附行为的研究 | 第87-91页 |
·CO2、CO在锐钛矿相TiO_2(001)-1×4表面吸附行为的初步研究 | 第91-94页 |
·重构、点缺陷模型及对小分子吸附的定性解释 | 第94-100页 |
·(1×4)重构的“AOM”模型 | 第94-96页 |
·基于“AOM”模型的暗、亮点构型 | 第96-98页 |
·小分子在缺陷处吸附的定性解释 | 第98-100页 |
·STM针尖操纵下亮、暗点型缺陷之间转化 | 第100-105页 |
·本章小结 | 第105-106页 |
参考文献 | 第106-113页 |
第四章 掺杂TiO_2薄膜的制备及掺杂剂对薄膜能带调制作用的研究 | 第113-150页 |
·背景介绍 | 第113-127页 |
·金属元素掺杂 | 第116-118页 |
·非金属元素掺杂 | 第118-120页 |
·金属元素与非金属元素共掺杂 | 第120-124页 |
·掺杂待解决的问题 | 第124-127页 |
·实验方法、结果和讨论 | 第127-142页 |
·实验方法 | 第127-129页 |
·CrN共掺杂anatase TiO_2(001)单晶薄膜制备和表征方法 | 第128页 |
·Cr掺杂rutile TiO_2(110)单晶薄膜制备和可见光活性检测方法 | 第128-129页 |
·氧压、衬底温度对共掺杂薄膜中掺杂剂含量的调制作用研究 | 第129-131页 |
·N元素含量对薄膜中Cr、Ti元素价态的调制作用的研究 | 第131-133页 |
·不同N元素含量的共掺杂薄膜的晶相和表面形貌研究 | 第133-134页 |
·CrN共掺杂锐钛矿相TiO_2薄膜能带结构调制作用的研究 | 第134-136页 |
·Cr掺杂金红石相TiO_2(110)的表征及其可见光催化活性的研究 | 第136-142页 |
·本章小结 | 第142页 |
·关于深入研究掺杂机制的展望 | 第142-144页 |
参考文献 | 第144-150页 |
致谢 | 第150-151页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第151页 |