| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| ·SiC 的结构与性质 | 第12-17页 |
| ·SiC 晶体结构 | 第13-14页 |
| ·SiC 的物理性质和电学性质 | 第14-17页 |
| ·SiC 的应用领域 | 第17-21页 |
| ·SiC 的研究现状 | 第21-29页 |
| ·SiC 单晶的生长 | 第21-23页 |
| ·SiC 薄膜的生长 | 第23-29页 |
| ·SiC 晶须的研究现状 | 第29页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 实验方法 | 第31-44页 |
| ·SiC 薄膜的制备方法 | 第31-38页 |
| ·化学气相沉积的原理 | 第31-33页 |
| ·实验装置简介 | 第33-35页 |
| ·VLS 自组装生长机理简介 | 第35-36页 |
| ·催化剂的制备 | 第36-37页 |
| ·SiC 薄膜的CVD 制备 | 第37-38页 |
| ·SiC 薄膜的表征方法 | 第38-44页 |
| ·扫描电子显微分析技术 | 第38-39页 |
| ·原子力显微分析技术 | 第39-40页 |
| ·电子能量色散谱分析技术 | 第40页 |
| ·X 射线衍射分析技术 | 第40-41页 |
| ·透射电子显微分析技术 | 第41-42页 |
| ·电子背散射衍射分析技术 | 第42-43页 |
| ·Raman 分析技术 | 第43-44页 |
| 第三章 SiC 自组装生长机理及其控制研究 | 第44-58页 |
| ·SiC 晶须自组装生长过程研究 | 第44-49页 |
| ·SiC 晶须生长控制研究 | 第49-58页 |
| ·催化剂厚度对SiC 晶须的影响 | 第49-52页 |
| ·H2 流量对SiC 晶须的影响 | 第52-53页 |
| ·生长温度对SiC 晶须的影响 | 第53-54页 |
| ·反应室气压对SiC 晶须的影响 | 第54-56页 |
| ·影响SiC 晶须生长的其他因素 | 第56-58页 |
| 第四章 SiC 微米柱阵列的自组装生长研究 | 第58-85页 |
| ·3C-SiC 微米柱阵列生长研究 | 第58-83页 |
| ·实验方法 | 第58-60页 |
| ·3C-SiC 微米柱阵列的合成 | 第60-62页 |
| ·气体种类对3C-SiC 微米柱生长的影响 | 第62-65页 |
| ·反应温度对3C-SiC 微米柱生长的影响 | 第65-67页 |
| ·C/Si 比对 3C-SiC 微米柱生长的影响 | 第67-69页 |
| ·反应室气压对3C-SiC 微米柱生长的影响 | 第69-70页 |
| ·3C-SiC 微米柱阵列的微观结构 | 第70-83页 |
| ·3C-SiC 薄膜的自组装生长 | 第83-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 第五章 SiC 薄膜的自组装同质外延生长 | 第85-98页 |
| ·6H-SiC 薄膜的自组装同质外延与传统CVD 同质外延的生长比较 | 第85-91页 |
| ·“两步法”同质外延SiC 薄膜 | 第91-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 SiC 多孔薄膜生长研究 | 第98-106页 |
| ·实验方法 | 第98-99页 |
| ·多孔SiC 薄膜生长研究 | 第99-102页 |
| ·多孔SiC 缓冲层对SiC 薄膜的影响 | 第102-106页 |
| 第七章 主要结论与创新点 | 第106-108页 |
| ·结论 | 第106-107页 |
| ·创新点 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第119-120页 |