| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-42页 |
| ·研究背景和意义 | 第14-15页 |
| ·太阳能电池的发展 | 第15-17页 |
| ·薄膜太阳能电池 | 第17-19页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4的性质 | 第19-22页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4的晶体结构 | 第19-21页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4的光学性质 | 第21-22页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4的电学性质 | 第22页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4薄膜太阳能电池 | 第22-25页 |
| ·薄膜太阳能电池的重要参数 | 第22-23页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4太阳能电池的基本结构 | 第23-25页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4的沉积方法 | 第25-36页 |
| ·真空蒸发法 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射 | 第28-31页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第31-32页 |
| ·电化学沉积技术 | 第32-33页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第33-34页 |
| ·喷雾热解法 | 第34-35页 |
| ·基于纳米颗粒的薄膜制备 | 第35-36页 |
| ·丝网印刷技术 | 第36页 |
| ·CdIn_2S_4的基本性质和制备方法 | 第36-39页 |
| ·CdIn_2S_4的基本性质 | 第36-37页 |
| ·CdIn_2S_4的制备及应用 | 第37-39页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第39-42页 |
| 第二章 溶剂热法制备 Cu_2ZnSnS_4和 Cu_2ZnSnSe_4纳米结构 | 第42-58页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·空心球状 Cu_2ZnSnS_4颗粒的制备及表征 | 第43-53页 |
| ·实验过程 | 第43-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-53页 |
| ·花状 Cu_2ZnSnSe_4纳米结构的制备 | 第53-56页 |
| ·实验过程 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第三章 溶剂热法制备 Cu_2ZnSnS_4薄膜及其光电性质 | 第58-68页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·实验过程 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·结构分析 | 第59-62页 |
| ·形貌与成分比例分析 | 第62-63页 |
| ·光电子能谱分析 | 第63-64页 |
| ·CZTS 薄膜的生长机制分析 | 第64页 |
| ·光电性质 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 Cu_2ZnSnSe_4纳米管阵列的制备和表征 | 第68-82页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·实验过程 | 第69-70页 |
| ·一维 ZnO 纳米棒阵列的制备 | 第69页 |
| ·CZTSe 纳米管阵列的制备 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-80页 |
| ·CZTSe 纳米管阵列的制备原理 | 第70-71页 |
| ·形貌和结构分析 | 第71-75页 |
| ·元素价态分析 | 第75-76页 |
| ·不同长度、直径的 CZTSe 纳米管阵列的制备 | 第76-78页 |
| ·CZTSe 纳米管阵列的光学性质分析 | 第78-79页 |
| ·CZTSe 纳米管阵列的光电化学性质 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 片状 CdIn_2S_4薄膜的制备及其光电性质的研究 | 第82-96页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·实验过程 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-95页 |
| ·结构分析 | 第83-84页 |
| ·形貌和成分分析 | 第84-87页 |
| ·反应时间对样品形貌的影响 | 第87-89页 |
| ·半胱氨酸在反应中的作用 | 第89-90页 |
| ·片状 CdIn_2S_4薄膜的生长机制 | 第90-91页 |
| ·CdIn_2S_4薄膜的光学特性分析 | 第91-93页 |
| ·CdIn_2S_4薄膜的光电化学性质 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 结论与展望 | 第96-99页 |
| ·结论 | 第96-97页 |
| ·展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-112页 |
| 作者简介 | 第112-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
