| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 引言 | 第12-15页 |
| 第一章 半导体自旋注入和探测简介 | 第15-34页 |
| ·半导体自旋电子学简介 | 第15-20页 |
| ·自旋电子学的内容合法展 | 第15-18页 |
| ·半导体自旋电子学分类 | 第18-20页 |
| ·半导体中的自旋注入和探测 | 第20-34页 |
| ·磁性半导体中自旋的注入 | 第20-22页 |
| ·非磁性半导体中自旋的注入 | 第22-29页 |
| ·半导体中自旋的探测方法 | 第29-34页 |
| 第二章 半导体自旋流的相关理论和实验介绍 | 第34-48页 |
| ·自旋流相关理论预言 | 第34-38页 |
| ·半导体无耗散自旋流理论预言 | 第34-35页 |
| ·半导体二维体系本征自旋流的理论预言 | 第35-36页 |
| ·半导体二维体系中自旋波包劈裂的理论预言 | 第36-37页 |
| ·本征自旋流测量方案的理论预言 | 第37-38页 |
| ·自旋霍尔效应与逆自旋霍尔效应的相关探测 | 第38-45页 |
| ·GaAs中的自旋霍尔效应 | 第38-39页 |
| ·自旋霍尔效应与自旋LED | 第39-41页 |
| ·HgTe中的量子自旋霍尔效应 | 第41-43页 |
| ·逆自旋霍尔效应 | 第43-44页 |
| ·时间分辨自旋霍尔效应的探测 | 第44-45页 |
| ·半导体二维体系光注入自旋及其扩散和分离的光学探测 | 第45-47页 |
| ·电、磁场控制自旋分离 | 第45-46页 |
| ·光注入探测自旋分离 | 第46-47页 |
| ·本章总结 | 第47-48页 |
| 第三章 AlGaAs/GaAs二维电子气中光注入电,磁场分布和光探测 | 第48-76页 |
| ·AlGaAs/GaAs二维电子气样品的制备和性质 | 第48-49页 |
| ·AlGaAs二维电子气样品的光注入自旋 | 第49-55页 |
| ·不同偏振的泵浦激光在GaAs中产生自旋和电极化情况 | 第49-50页 |
| ·单束线偏振光在GaAs类半导体中注入自旋极化 | 第50-52页 |
| ·注入光偏振,样品晶格方向和自旋极化方向关系 | 第52-55页 |
| ·AlGaAs二维电子气样品电场和磁场的二次谐波探测 | 第55-59页 |
| ·GaAs中的二阶非线性光学发射 | 第55-57页 |
| ·探测光对于光注入自旋和电荷分布的二阶非线性极化 | 第57-59页 |
| ·单束线偏振光泵浦二次谐波探测光路 | 第59-67页 |
| ·注入和探测光路的设置 | 第59-61页 |
| ·光路和调节的计算 | 第61-67页 |
| ·探测结果和相关讨论 | 第67-71页 |
| ·pump光导致二次谐波强度变化分布 | 第67-68页 |
| ·pump光注入电场和磁场的空间分布探测和讨论 | 第68-71页 |
| ·AlGaAs二维电子气样品中的自旋光栅探测 | 第71-76页 |
| ·自旋光栅的形成和探测机理 | 第71-73页 |
| ·自旋光栅探测光路 | 第73-74页 |
| ·实验结果和分析 | 第74-76页 |
| 第四章 ZnO纳米线阵列和微晶薄膜的二阶和三阶光学非线性增强 | 第76-92页 |
| ·ZnO纳米线阵列的非线性光学特性 | 第76-83页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·ZnO纳米线阵列的制备,结构和表征 | 第76-78页 |
| ·ZnO纳米线阵列的透过率和反射率谱 | 第78-79页 |
| ·ZnO纳米线阵列的二次谐波特性 | 第79-82页 |
| ·ZnO纳米线阵列的三阶光学非线性特性 | 第82-83页 |
| ·ZnO微晶薄膜的三阶非线性光学增强 | 第83-87页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·ZnO微晶薄膜的制备过程 | 第84页 |
| ·利用XRD研究ZnO微晶薄膜的晶体结构 | 第84-85页 |
| ·ZnO微晶薄膜的光学透过率谱和能带结构 | 第85-86页 |
| ·ZnO微晶薄膜的三阶光学非线性吸收增强 | 第86-87页 |
| ·ZnTiO复合薄膜的三阶光学非线性吸收特性 | 第87-91页 |
| ·引言 | 第87页 |
| ·ZnTiO复合薄膜样品的制备 | 第87页 |
| ·ZnTiO复合薄膜的结构和光吸收谱 | 第87-90页 |
| ·ZnTiO复合薄膜的三阶光学非线性特性 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-106页 |
| 博士期间论文和奖励情况 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
