| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-14页 |
| ·国外一些新型SCB介绍 | 第11-13页 |
| ·国内SCB研究进展 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 结型半导体桥的基础理论分析及设计制作 | 第16-27页 |
| ·结型半导体的基础理论分析 | 第16-20页 |
| ·PN结的形成 | 第16-17页 |
| ·PN结的单向导电性 | 第17页 |
| ·PN结的反向击穿 | 第17-18页 |
| ·击穿电压的计算 | 第18-19页 |
| ·寄生电阻、结电容的计算 | 第19-20页 |
| ·结型半导体的制作及测定 | 第20-26页 |
| ·结型半导体的参数设计 | 第20-21页 |
| ·结型半导体桥基本参数的测量 | 第21-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3 结型半导体桥击穿机理分析 | 第27-41页 |
| ·高掺杂浓度结型半导体桥击穿机理分析 | 第27-29页 |
| ·电容放电实验 | 第27-28页 |
| ·恒压源放电实验 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29页 |
| ·低掺杂浓度结型半导体桥的起爆机理分析 | 第29-34页 |
| ·实验记录及现象 | 第29-30页 |
| ·起爆机理分析 | 第30-32页 |
| ·实验验证 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·中掺杂浓度结型半导体桥的起爆机理分析 | 第34-37页 |
| ·三种不同掺杂浓度结型半导体桥电容放电曲线的的讨论 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 4 结型半导体桥电爆性能研究及影响因素 | 第41-50页 |
| ·芯片尺寸对结型半导体桥发火性能的影响 | 第41-43页 |
| ·实验记录及现象 | 第41-43页 |
| ·实验结果及分析 | 第43页 |
| ·电极尺寸对结型半导体发火性能的影响 | 第43-47页 |
| ·放电电容对结型半导体发火性能的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5 结型半导体桥静电防护性能研究 | 第50-55页 |
| ·静电放电实验 | 第50-53页 |
| ·低掺杂浓度结型半导体桥静电放电实验 | 第51页 |
| ·中掺杂浓度结型半导体桥静电放电实验 | 第51-52页 |
| ·10000PF电容静电放电实验 | 第52-53页 |
| ·静电放电后性能测试 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 6 结型半导体桥射频防护性能研究 | 第55-66页 |
| ·结型半导体桥的封装 | 第56-58页 |
| ·结型半导体桥射频注入实验 | 第58-62页 |
| ·中掺杂浓度结型半导体桥射频注入实验 | 第58-60页 |
| ·低掺杂浓度结型半导体桥射频注入实验 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| ·GTEM电磁辐照实验 | 第62-65页 |
| ·GTEM小室实验装置介绍 | 第63页 |
| ·试验结果及讨论 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 附表 | 第72-77页 |