| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·MMIC 的发展 | 第9-10页 |
| ·MMIC 衬底材料和 GaAs 管芯 | 第10-12页 |
| ·MMIC 衬底材料的比较 | 第10-11页 |
| ·GaAs 管芯的比较 | 第11-12页 |
| ·MMIC 宽带功放简介 | 第12-13页 |
| ·基于各种材料与工艺技术的 MMIC 宽带功放 | 第13-19页 |
| ·硅基 MMIC 宽带功放 | 第13-14页 |
| ·GaAs MMIC 宽带功放 | 第14-18页 |
| ·宽禁带半导体 SiC 和 GaN | 第18页 |
| ·可应用于毫米波以上的 InP | 第18-19页 |
| ·课题研究的内容和意义 | 第19-20页 |
| ·研究内容 | 第19页 |
| ·研究意义 | 第19-20页 |
| ·本章小节 | 第20-21页 |
| 第二章 构成 MMIC 的重要元器件及其等效电路模型 | 第21-29页 |
| ·无源元件及其电路模型 | 第21-26页 |
| ·螺旋电感 | 第21-23页 |
| ·MIM 电容 | 第23-24页 |
| ·MMIC 电阻 | 第24-25页 |
| ·微带线 | 第25页 |
| ·通孔和接地 | 第25-26页 |
| ·PHEMT 有源器件模型 | 第26-28页 |
| ·PHEMT 小信号模型 | 第26-27页 |
| ·PHEMT 大信号模型 | 第27-28页 |
| ·本章小节 | 第28-29页 |
| 第三章 MMIC 宽带中功率放大器的设计 | 第29-53页 |
| ·功率放大器基本原理 | 第29-33页 |
| ·功放的工作点 | 第29-30页 |
| ·A 类工作状态 | 第30-31页 |
| ·B 类工作状态 | 第31-33页 |
| ·主要设计参数 | 第33-36页 |
| ·功放宽带技术 | 第36-38页 |
| ·偏置电路 | 第38-40页 |
| ·MMIC 功放设计步骤 | 第40页 |
| ·MMIC 宽带功放设计指标要求和加工工艺 | 第40-41页 |
| ·设计指标 | 第40-41页 |
| ·代工厂工艺简介 | 第41页 |
| ·MMIC 宽带功放设计方案 | 第41-42页 |
| ·总体设计具体过程 | 第42-51页 |
| ·栅宽和栅指数 | 第42页 |
| ·工作点和偏置 | 第42-45页 |
| ·功放的负反馈网络 | 第45-47页 |
| ·功放的匹配网络 | 第47-49页 |
| ·功放的稳定性 | 第49-51页 |
| ·本章小节 | 第51-53页 |
| 第四章 版图的仿真和优化 | 第53-73页 |
| ·版图排版 | 第53-61页 |
| ·芯片的层设置 | 第53-56页 |
| ·电路排版 | 第56-57页 |
| ·电阻的选择 | 第57-58页 |
| ·电容的处理 | 第58-59页 |
| ·电感的处理 | 第59-60页 |
| ·电流大小的影响 | 第60-61页 |
| ·优化仿真 | 第61-70页 |
| ·整体直接仿真法 | 第61-62页 |
| ·分部分对比仿真法 | 第62-64页 |
| ·电路逐步仿真法 | 第64-65页 |
| ·元件替换仿真法 | 第65-67页 |
| ·仿真设计中遇到的问题 | 第67-70页 |
| ·结果分析 | 第70-72页 |
| ·本章小节 | 第72-73页 |
| 第五章 全文总结 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79-80页 |