| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 综述 | 第9-16页 |
| ·绪论 | 第9-13页 |
| ·课题的意义 | 第9-12页 |
| ·课题的工作安排 | 第12-13页 |
| ·SAW 器件 | 第13-16页 |
| ·声表面波（SAW） | 第13页 |
| ·SAW 器件 | 第13-16页 |
| 第二章 ANSYS 模拟 SAW 在多层膜结构中的电学性能 | 第16-34页 |
| ·压电介质中SAW 传播的有限元分析理论 | 第16-21页 |
| ·压电各向异性介质中的耦合波方程 | 第16-18页 |
| ·压电各向异性介质中求解耦合波方程组 | 第18-20页 |
| ·有限元分析类型 | 第20-21页 |
| ·ANSYS 有限元仿真 | 第21-26页 |
| ·ANSYS 有限元分析软件 | 第21-22页 |
| ·“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构的假设条件 | 第22-23页 |
| ·“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构的有限元分析流程 | 第23-26页 |
| ·“IDT/AlN/Diamond”多层膜结构的模态分析与谐响应分析 | 第26-33页 |
| ·结构的谐振频率与反谐振频率 | 第26-28页 |
| ·结构的导纳-频率分析 | 第28-32页 |
| ·不同膜厚的分析 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第三章 射频磁控溅射原理和工艺 | 第34-41页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第34-36页 |
| ·射频辉光放电 | 第34-35页 |
| ·磁控溅射 | 第35-36页 |
| ·射频磁控溅射的特点 | 第36页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第36-39页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第36-37页 |
| ·溅射工艺 | 第37-39页 |
| ·AlN 的结构特性与制备方法 | 第39-40页 |
| ·AlN 的结构特性 | 第39页 |
| ·AlN 的制备方法 | 第39-40页 |
| ·Diamond 的结构与特性 | 第40-41页 |
| 第四章 几种多层膜结构的制备与表征 | 第41-64页 |
| ·多层膜结构的表征手段 | 第41-42页 |
| ·“（002）AlN/Si”结构的制备与表征 | 第42-60页 |
| ·氮氩比对“（002）AlN/Si”结构的影响 | 第43-45页 |
| ·溅射功率对“（002）AlN/Si”结构的影响 | 第45-48页 |
| ·衬底温度对“（002）AlN/Si”结构的影响 | 第48-49页 |
| ·靶基距对“（002）AlN/Si”结构的影响 | 第49-50页 |
| ·冷却条件对“（002）AlN/Si”结构的影响 | 第50-59页 |
| ·计算“（002）AlN/Si”结构中的声表面波相速度 | 第59-60页 |
| ·“（002）AlN/Cu”多层膜制备的研究 | 第60-61页 |
| ·“（002）AlN/Diamond”多层膜制备参数的研究 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
