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量子限制杂质远红外发光器的研制及相关理论计算

中文摘要第1-10页
ABSTRACT第10-12页
符号表第12-13页
第一章 绪论第13-23页
   ·课题研究的背景第13-15页
   ·国内外发展趋势第15-19页
     ·半导体量子点第15-16页
     ·量子点制备方法的研究进展第16-18页
     ·量子点在发展中存在的问题第18-19页
   ·课题主要研究内容第19-20页
   ·研究的目的和意义第20-23页
第二章 样品的制备及测试方法第23-34页
   ·实验原理与实验设备第23-28页
     ·分子束外延(MBE)技术第23-25页
     ·红外Fourier光谱仪第25-27页
     ·HP4156A半导体参数分析仪第27-28页
   ·样品的制备第28-31页
     ·衬底的选择与预处理第28页
     ·δ-掺杂GaAs/AlAs多量子阱样品的制备第28-30页
     ·远红外发光器的制作工艺第30-31页
   ·测试方法第31-34页
第三章 δ-掺杂量子阱Thz远红外发光器件的特性研究第34-42页
   ·量子阱的能态结构及限制阱中受主原子的能带结构第34-36页
     ·异质结量子阱的量子态第34-35页
     ·受主原子在量子阱中的能级结构第35-36页
   ·三量子阱远红外发光器的光学性质第36-39页
     ·远红外吸收谱第36-37页
     ·电致发光谱第37-39页
   ·三量子阱远红外发光器的I-V特性第39-42页
第四章 理论计算与讨论第42-49页
   ·理论方法第42-44页
   ·理论计算第44-45页
   ·结果与讨论第45-49页
     ·受主束缚能与量子阱宽度的变化关系第45-47页
     ·变分参数与量子阱宽度的变化关系第47-49页
第五章 总结第49-52页
   ·主要结论第49-50页
   ·创新点第50-51页
   ·有待深入解决的问题第51-52页
附录第52-62页
参考文献第62-70页
致谢第70-71页
攻读硕士期间发表学术论文及参与课题第71-72页
学位论文评阅及答辩情况表第72页

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