| 中文摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·课题研究的背景 | 第13-15页 |
| ·国内外发展趋势 | 第15-19页 |
| ·半导体量子点 | 第15-16页 |
| ·量子点制备方法的研究进展 | 第16-18页 |
| ·量子点在发展中存在的问题 | 第18-19页 |
| ·课题主要研究内容 | 第19-20页 |
| ·研究的目的和意义 | 第20-23页 |
| 第二章 样品的制备及测试方法 | 第23-34页 |
| ·实验原理与实验设备 | 第23-28页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第23-25页 |
| ·红外Fourier光谱仪 | 第25-27页 |
| ·HP4156A半导体参数分析仪 | 第27-28页 |
| ·样品的制备 | 第28-31页 |
| ·衬底的选择与预处理 | 第28页 |
| ·δ-掺杂GaAs/AlAs多量子阱样品的制备 | 第28-30页 |
| ·远红外发光器的制作工艺 | 第30-31页 |
| ·测试方法 | 第31-34页 |
| 第三章 δ-掺杂量子阱Thz远红外发光器件的特性研究 | 第34-42页 |
| ·量子阱的能态结构及限制阱中受主原子的能带结构 | 第34-36页 |
| ·异质结量子阱的量子态 | 第34-35页 |
| ·受主原子在量子阱中的能级结构 | 第35-36页 |
| ·三量子阱远红外发光器的光学性质 | 第36-39页 |
| ·远红外吸收谱 | 第36-37页 |
| ·电致发光谱 | 第37-39页 |
| ·三量子阱远红外发光器的I-V特性 | 第39-42页 |
| 第四章 理论计算与讨论 | 第42-49页 |
| ·理论方法 | 第42-44页 |
| ·理论计算 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-49页 |
| ·受主束缚能与量子阱宽度的变化关系 | 第45-47页 |
| ·变分参数与量子阱宽度的变化关系 | 第47-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-52页 |
| ·主要结论 | 第49-50页 |
| ·创新点 | 第50-51页 |
| ·有待深入解决的问题 | 第51-52页 |
| 附录 | 第52-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文及参与课题 | 第71-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |