| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 介孔分子筛的研究进展 | 第10-38页 |
| ·概述 | 第10-13页 |
| ·多孔材料简介 | 第11-12页 |
| ·介孔材料和有序介孔材料 | 第12-13页 |
| ·介孔材料的特点和分类 | 第13-23页 |
| ·硅基介孔材料 | 第13-20页 |
| ·非硅基介孔材料 | 第20-23页 |
| ·有序介孔材料的合成方法和机理 | 第23-27页 |
| ·液晶模板机理(Liquid crystal temp lating mechanism,简写为LCT) | 第25页 |
| ·棒状自组装模型( Silicate rod assemble model) | 第25-26页 |
| ·协同作用机理(The cooperative organization mechanism) | 第26-27页 |
| ·电荷密度匹配机理(Charge DensityMatching Mechanism) | 第27页 |
| ·介孔材料的应用 | 第27-31页 |
| ·介孔材料在催化方面的应用 | 第28-29页 |
| ·纳米反应器 | 第29页 |
| ·介孔材料的光学和电学应用 | 第29页 |
| ·吸附/分离方面的应用 | 第29-30页 |
| ·介孔材料在当作载体方面的应用 | 第30-31页 |
| ·介孔材料在生物方面的应用 | 第31页 |
| ·有序介孔材料的发展与展望 | 第31-33页 |
| ·本课题选题的目的、意义和主要结果 | 第33-34页 |
| ·选题的目的和意义 | 第33页 |
| ·主要研究成果 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第二章 实验部分 | 第38-45页 |
| ·合成实验所用试剂及仪器 | 第38-39页 |
| ·试剂 | 第38页 |
| ·主要仪器 | 第38-39页 |
| ·介孔分子筛的合成 | 第39-41页 |
| ·MCM-48 的合成 | 第39页 |
| ·MCM-48 双峰介孔硅球的合成 | 第39-40页 |
| ·SBA-15 介孔分子筛的合成 | 第40页 |
| ·Ag/SBA-15 介孔分子筛的合成 | 第40-41页 |
| ·介孔材料的表征仪器及方法 | 第41-42页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第41页 |
| ·透射电镜（TEM） | 第41页 |
| ·低温氮气吸附-脱附 | 第41页 |
| ·X 光电子能谱（XPS） | 第41-42页 |
| ·原子发射光谱（AES） | 第42页 |
| ·红外光谱 | 第42页 |
| ·热分析 | 第42页 |
| ·核磁共振（NMR） | 第42页 |
| ·介孔材料催化 CO 氧化的性能评价方法 | 第42-43页 |
| ·介孔材料催化醛、胺和炔三组分反应的实验方法 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 双峰介孔硅球的结构特征 | 第45-55页 |
| ·双峰介孔硅球的粉末 XRD 表征 | 第45-47页 |
| ·双峰介孔硅球的 TEM 表征 | 第47-48页 |
| ·双峰介孔硅球的低温氮气吸附-脱附表征 | 第48-49页 |
| ·双峰介孔硅球的傅里叶变换红外光谱 | 第49-50页 |
| ·双峰介孔硅球样品的热分析 | 第50-51页 |
| ·双峰介孔硅球形成机理探讨 | 第51-53页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第四章 复合介孔材料 Ag/SBA-15 在催化反应中的应用 | 第55-76页 |
| ·Ag/SBA-15 催化 CO 氧化反应的研究 | 第55-63页 |
| ·Ag/SBA-15 样品的结构表征 | 第56-61页 |
| ·Ag/SBA-15 催化氧化CO 的性能 | 第61-62页 |
| ·Ag/SBA-15（H）催化剂稳定性的评价 | 第62-63页 |
| ·结论 | 第63页 |
| ·Ag/SBA-15 催化醛、胺和炔三组分的反应性能研究 | 第63-74页 |
| ·催化剂的表征 | 第64-67页 |
| ·催化剂的选择 | 第67-68页 |
| ·溶剂的选择 | 第68-69页 |
| ·不同的醛、胺和苯乙炔的三组分反应 | 第69-72页 |
| ·反应机理探讨 | 第72页 |
| ·三组分反应产物的NMR 1H 谱 | 第72-73页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 附录：三组分反应产物的 NMR 谱图1H 300M | 第76-80页 |
| 攻读学位期间发表或即将发表的学术论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
