| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-15页 |
| ·金刚石薄膜性质及应用 | 第8页 |
| ·金刚石薄膜制备方法 | 第8-9页 |
| ·掺杂金刚石薄膜研究现状 | 第9-13页 |
| ·小结 | 第13-15页 |
| 第2章 实验装置与方法 | 第15-24页 |
| ·实验装置与方法 | 第15-17页 |
| ·实验装置 | 第15-16页 |
| ·实验方法 | 第16页 |
| ·对Si 衬底的预处理 | 第16-17页 |
| ·原位检测方法 | 第17-20页 |
| ·Langmuir 单探针等离子诊断 | 第17-19页 |
| ·光学发射谱的测量 | 第19-20页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第20-23页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X 射线（EDX） | 第21页 |
| ·次级离子质谱（SIMS） | 第21页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第21-22页 |
| ·Raman 散射 | 第22页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第22页 |
| ·Hall 效应 | 第22-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第3章 本征纳米金刚石薄膜的合成 | 第24-29页 |
| ·纳米金刚石薄膜的高温合成 | 第24-26页 |
| ·表面形貌观测 | 第24-25页 |
| ·显微喇曼光谱 | 第25页 |
| ·薄膜的X 射线衍射谱 | 第25-26页 |
| ·薄膜的合成随反应条件的变化 | 第26页 |
| ·低温合成金刚石薄膜的研究 | 第26-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第4章 硫掺杂金刚石薄膜合成 | 第29-43页 |
| ·低温合成硫掺杂n 型金刚石薄膜的原位诊断 | 第31-35页 |
| ·Langmuir 单探针测量 | 第31页 |
| ·光学发射谱的测量及分析 | 第31-35页 |
| ·低温合成硫掺杂n 型金刚石薄膜的机理分析 | 第35-38页 |
| ·硫掺杂n 型金刚石薄膜的合成 | 第38-40页 |
| ·硫掺杂n 型金刚石薄膜的电学特性 | 第40-41页 |
| ·n 型金刚石多晶薄膜导电机理研究 | 第40页 |
| ·n 型金刚石多晶薄膜电学特性测量方法 | 第40-41页 |
| ·测量结果与分析 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第5章 结束语 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 致谢 | 第48页 |