| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·太阳能电池的意义 | 第8-9页 |
| ·太阳能电池的发展及现状 | 第9-15页 |
| ·晶体硅太阳电池 | 第10-11页 |
| ·薄膜太阳电池 | 第11-15页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特性 | 第15-16页 |
| ·多晶硅薄膜(Poly-Si)的制备方法 | 第16-20页 |
| ·在衬底上直接沉积Poly-Si薄膜 | 第16-18页 |
| ·在衬底上间接沉积Poly-Si薄膜(Si膜二次晶化的方法) | 第18-20页 |
| ·本文研究目的和内容 | 第20-22页 |
| 2 实验方法 | 第22-34页 |
| ·ECR-PECVD法制备多晶硅薄膜 | 第22-26页 |
| ·低压等离子体增强化学气相沉积原理 | 第22-23页 |
| ·ECR-PECVD中低温等离子体的产生和特点 | 第23-24页 |
| ·ECR-PECVD薄膜沉积系统 | 第24-26页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第26-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27页 |
| ·激光拉曼光谱(RAMAN) | 第27-29页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第29-31页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第31-33页 |
| ·台阶仪 | 第33-34页 |
| 3 多晶硅薄膜样品制备 | 第34-37页 |
| ·衬底、硅源和氩气的选择 | 第34-35页 |
| ·衬底的选择 | 第34页 |
| ·硅源的选择 | 第34-35页 |
| ·氩气的选择 | 第35页 |
| ·实验设计 | 第35-37页 |
| 4 多晶硅薄膜生长结构研究 | 第37-43页 |
| ·薄膜的XRD衍射分析 | 第37-38页 |
| ·薄膜的Raman分析 | 第38-39页 |
| ·薄膜的TEM分析 | 第39-43页 |
| 5 影响多晶硅薄膜的因素 | 第43-61页 |
| ·沉积温度对多晶硅薄膜的影响 | 第43-46页 |
| ·H2流量对多晶硅薄膜的影响 | 第46-49页 |
| ·沉积功率对多晶硅薄膜的影响 | 第49-51页 |
| ·中间层对多晶硅薄膜的影响 | 第51-61页 |
| ·有无中间层对比实验 | 第52-55页 |
| ·中间层沉积温度对多晶硅薄膜的影响 | 第55-58页 |
| ·中间层H2流量对多晶硅薄膜的影响 | 第58-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |