LTE系统数字预失真技术研究
摘要 | 第1-4页 |
英文摘要 | 第4-7页 |
第一章 绪论 | 第7-13页 |
·论文背景 | 第7-9页 |
·预失真技术研究进展 | 第9-10页 |
·本文组织结构和主要内容 | 第10-13页 |
第二章 LTE 系统 | 第13-23页 |
·LTE 系统概述 | 第13-14页 |
·LTE 系统主要特点 | 第14-15页 |
·LTE 系统的接入方式 | 第15-16页 |
·LTE 系统上行接入方式 | 第15页 |
·LTE 系统下行接入方式 | 第15-16页 |
·OFDM 技术 | 第16-20页 |
·OFDM 基本原理 | 第16-18页 |
·OFDM 的实现 | 第18-19页 |
·OFDM 的优缺点 | 第19-20页 |
·OFDM 信号的峰均比 | 第20-23页 |
第三章 功率放大器的非线性对LTE 系统的影响 | 第23-35页 |
·功率放大器的非线性效应分析 | 第23-26页 |
·非线性时域分析 | 第23-25页 |
·功放的非线性参数 | 第25-26页 |
·功率放大器模型 | 第26-33页 |
·功放无记忆模型 | 第27-29页 |
·功放有记忆模型 | 第29-33页 |
·功放非线性对LTE 系统的影响 | 第33-35页 |
·非线性对信号星座图的影响 | 第33页 |
·非线性对信号功率谱的影响 | 第33-35页 |
第四章 LTE 系统功放线性化技术 | 第35-39页 |
·线性化技术 | 第35-38页 |
·负反馈技术 | 第35-36页 |
·前馈技术 | 第36页 |
·LINC 法 | 第36-37页 |
·预失真技术 | 第37-38页 |
·线性化技术比较 | 第38页 |
·LTE 功放线性化技术 | 第38-39页 |
第五章 LTE 数字预失真技术研究 | 第39-67页 |
·预失真原理 | 第39-42页 |
·查找表预失真 | 第42-46页 |
·无记忆LUT 的数字基带自适应预失真 | 第44-45页 |
·常规有记忆LUT 预失真算法 | 第45-46页 |
·多项式预失真 | 第46-53页 |
·无记忆多项式预失真 | 第50页 |
·记忆多项式预失真方法 | 第50-53页 |
·改进的LTE 系统数字预失真方法 | 第53-57页 |
·改进的数字预失真方法 | 第53-54页 |
·仿真与分析 | 第54-57页 |
·预失真方案设计 | 第57-67页 |
·数字预失真系统及硬件设计 | 第57-61页 |
·软件系统设计 | 第61-63页 |
·时钟系统 | 第63-64页 |
·实现效果 | 第64-67页 |
第六章 结束语 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
作者在读期间的研究成果 | 第75-76页 |