| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·半导体激光器及面发射半导体激光器的发展概述 | 第7-8页 |
| ·45°偏转镜面激光器的特性及材料物性研究的意义 | 第8-9页 |
| ·本论文的主要工作内容与研究进展情况 | 第9-11页 |
| 第二章 45°偏转镜面发射半导体激光器结构设计与分析 | 第11-27页 |
| ·45°偏转镜面发射激光器外延层结构设计优化 | 第11-22页 |
| ·45°偏转镜面发射半导体激光器腔长与条宽设计 | 第22-23页 |
| ·45°偏转镜面发射激光器的结构设计 | 第23-27页 |
| 第三章 偏转镜面发射激光器外延层生长工艺及参数研究 | 第27-34页 |
| ·V80H分子束外延设备概述 | 第27-29页 |
| ·980半导体激光器外延层实验生长条件及参数优化 | 第29-34页 |
| 第四章 半导体激光器外延材料的特性表征 | 第34-50页 |
| ·双晶X射线衍射分析方法 | 第34-42页 |
| ·光致荧光谱(PL)分析方法 | 第42-50页 |
| 第五章 45°偏转镜面发射半导体激光器的制备过程 | 第50-54页 |
| ·45°偏转镜面发射半导体激光器整体工艺过程概述 | 第50页 |
| ·组合式面发射列阵半导体激光器 | 第50-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |