| 中文摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 符号与缩写 | 第13-14页 |
| 第一章 运用"透镜"原理用"刻蚀沉积"法构建金微米图形 | 第14-44页 |
| ·引言 | 第14-17页 |
| ·实验部分 | 第17-28页 |
| ·实验仪器 | 第17-18页 |
| ·材料与试剂 | 第18-19页 |
| ·实验方法 | 第19-28页 |
| ·Si基底的预处理 | 第19-20页 |
| ·Si基底的制作 | 第20页 |
| ·碳纤维微米电极的制作 | 第20-22页 |
| ·Ag/AgCl参比电极的制作 | 第22-23页 |
| ·碳纤维微电极的活化 | 第23-24页 |
| ·循环伏安法和电极半径的测定 | 第24页 |
| ·SECM沉积金 | 第24-26页 |
| ·扫描电化学显微镜(SECM)表征沉积的金 | 第26-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-40页 |
| ·SECM沉积金的反应原理 | 第28-29页 |
| ·SECM沉积金的最佳条件 | 第29-35页 |
| ·提供反应必需H~+的物质的选择 | 第29页 |
| ·溶液的pH值 | 第29-31页 |
| ·KF浓度 | 第31-33页 |
| ·KAu(CN)_2的浓度 | 第33-34页 |
| ·NaNO_2溶液浓度 | 第34-35页 |
| ·沉积金的SECM表征 | 第35-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| ·参考文献 | 第41-44页 |
| 第二章 一种新的方法构建辣根过氧化物酶微米图形 | 第44-73页 |
| ·引言 | 第44-50页 |
| ·实验部分 | 第50-58页 |
| ·实验仪器 | 第50-51页 |
| ·材料与试剂 | 第51-52页 |
| ·实验方法 | 第52-58页 |
| ·制作玻璃管碳纤维微米电极 | 第52-53页 |
| ·辣根过氧化物酶的固定 | 第53-54页 |
| ·酶微米图案的制作 | 第54-57页 |
| ·酶微米图案的表征 | 第57-58页 |
| ·结果与讨论: | 第58-71页 |
| ·碳纤维微米电极的绝缘方法 | 第58-59页 |
| ·制作酶基底时biotin-HRP浓度选择 | 第59页 |
| ·HRP基底的刻蚀条件的优化 | 第59-63页 |
| ·溶液pH | 第59-60页 |
| ·探头电位的选择 | 第60-62页 |
| ·探头与基底的距离 | 第62-63页 |
| ·SECM表征被构建的HRP基底 | 第63-71页 |
| ·探头扫描曲线 | 第63-66页 |
| ·SECM图像 | 第66-71页 |
| ·结论: | 第71页 |
| ·参考文献: | 第71-73页 |
| 第三章 "印章"法构建辣根过氧化物酶微米图形 | 第73-96页 |
| ·引言 | 第73-77页 |
| ·实验部分 | 第77-85页 |
| ·实验仪器 | 第77页 |
| ·材料与试剂 | 第77-79页 |
| ·实验方法 | 第79-85页 |
| ·制作带有图形的印章电极 | 第79-83页 |
| ·辣根过氧化物酶的固定 | 第83-84页 |
| ·酶微米图案的制作 | 第84页 |
| ·酶微米图案的表征 | 第84-85页 |
| ·结果与讨论: | 第85-94页 |
| ·"印章"电极的绝缘方法 | 第85-86页 |
| ·制作酶基底时biotin-HRP浓度选择 | 第86-87页 |
| ·HRP基底的刻蚀条件的优化 | 第87-90页 |
| ·溶液pH | 第87-88页 |
| ·探头电位的选择 | 第88-90页 |
| ·SECM表征被构建的HRP基底 | 第90-94页 |
| ·探头扫描曲线 | 第90-92页 |
| ·SECM图像 | 第92-94页 |
| ·结论 | 第94-95页 |
| ·参考文献 | 第95-96页 |
| 第四章 微通道"刻蚀沉积"法构建金及葡萄糖氧化酶微米图形 | 第96-122页 |
| ·引言 | 第96-99页 |
| ·实验部分 | 第99-109页 |
| ·实验仪器 | 第99-100页 |
| ·材料与试剂 | 第100-102页 |
| ·实验方法 | 第102-109页 |
| ·Si基底的预处理 | 第102页 |
| ·Si基底的制作 | 第102页 |
| ·PDMS芯片的制作与修饰 | 第102-106页 |
| ·阳膜的制作 | 第102-104页 |
| ·SECM测量阳膜上通道的深度 | 第104-106页 |
| ·PDMS膜的浇注 | 第106页 |
| ·PDMS膜的改性及封接 | 第106页 |
| ·微通道中沉积金 | 第106-107页 |
| ·用多通道芯片在沉积的金上接上葡萄糖氧化酶 | 第107-108页 |
| ·沉积金及制作的葡萄糖氧化酶图形的表征 | 第108-109页 |
| ·显微镜和照相机表征金 | 第108页 |
| ·SECM表征沉积的金 | 第108页 |
| ·SECM表征金图形上接的葡萄糖氧化酶 | 第108-109页 |
| ·结果与讨论 | 第109-116页 |
| ·微通道沉积金的反应原理 | 第109页 |
| ·阳膜刻蚀条件的选择 | 第109-110页 |
| ·微通道沉积金的最佳条件 | 第110-116页 |
| ·溶液的pH值 | 第110-112页 |
| ·KF的浓度 | 第112-113页 |
| ·KAu(CN)_2的浓度 | 第113-114页 |
| ·溶液与硅基底反应的时间 | 第114-116页 |
| ·沉积金及制作的葡萄糖氧化酶图形的表征 | 第116-119页 |
| ·金的表征 | 第116-118页 |
| ·SECM表征接在金上面的葡糖糖氧化酶活性图形 | 第118-119页 |
| ·结论 | 第119-120页 |
| ·参考文献 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第123页 |