CdSe纳米材料的电化学制备及表征
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-23页 |
| ·现代显示技术的发展 | 第8-9页 |
| ·电致发光器件的材料与机理 | 第9-16页 |
| ·有机电致发光器件 | 第9-10页 |
| ·无机电致发光器件 | 第10-12页 |
| ·有机/无机纳米半导体复合电致发光器件 | 第12-16页 |
| ·电致发光器件的封装 | 第16-21页 |
| ·以玻璃为衬底或基板的封装技术 | 第16-19页 |
| ·塑料为衬底或基板 | 第19-21页 |
| ·展望 | 第21页 |
| ·课题的研究意义及本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-31页 |
| ·实验药品与仪器 | 第23-24页 |
| ·实验药品 | 第23-24页 |
| ·实验仪器 | 第24页 |
| ·CdSe纳米半导体材料的制备 | 第24-26页 |
| ·电化学沉积装置图 | 第24-25页 |
| ·极化曲线测试 | 第25页 |
| ·电极的制备 | 第25-26页 |
| ·CdSe纳米线的制备 | 第26页 |
| ·AAO模板及电极的制备 | 第26-28页 |
| ·工艺流程 | 第26-28页 |
| ·实验装置图 | 第28页 |
| ·CdSe纳米材料的表征与性能测试 | 第28-31页 |
| ·CdSe纳米薄膜表征及性能测试 | 第28-29页 |
| ·CdSe纳米线的表征及性能测试 | 第29-31页 |
| 第三章 CdSe纳米晶薄膜的制备与表征 | 第31-54页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·直流电沉积CdSe纳米薄膜 | 第31-43页 |
| ·CdSe纳米薄膜的制备 | 第32-36页 |
| ·CdSe纳米薄膜的结构分析 | 第36-38页 |
| ·CdSe纳米薄膜形貌表征 | 第38-40页 |
| ·UV-VIS光谱分析 | 第40-41页 |
| ·荧光光谱分析 | 第41-43页 |
| ·脉冲电流沉积CdSe纳米薄膜及表征 | 第43-52页 |
| ·CdSe纳米薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·CdSe纳米薄膜形貌表征 | 第44-48页 |
| ·XRD结构分析 | 第48-49页 |
| ·UV-VIS光谱分析 | 第49-51页 |
| ·荧光光谱分析 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第四章 CdSe纳米线的制备与表征 | 第54-62页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·纳米线的的制备与表征 | 第54-61页 |
| ·AAO模板的制备 | 第55页 |
| ·AAO模板的表征与性能测试 | 第55-57页 |
| ·CdSe纳米线的制备和表征 | 第57-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
