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WDM集成解复用接收器件的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第6-8页
第一章 绪论第8-10页
   ·研究意义和主要内容第8-9页
   ·论文的结构安排第9-10页
第二章 波分复用系统中解复用技术的研究状况第10-23页
   ·WDM光网络技术第10-17页
     ·WDM网络结构分类第10-14页
       ·光路交换的WDM光网络第11-12页
       ·分组交换WDM光网络第12-14页
     ·WDM光网络节点技术第14-17页
   ·WDM系统中解复用技术第17-21页
     ·WDM系统传统解复用技术第18-21页
       ·薄膜干涉滤波器第18-19页
       ·光栅型解复用技术第19-20页
       ·Interleaver第20页
       ·法布里—珀罗滤波器第20-21页
   ·小结第21-23页
第三章 光电子器件微结构及新型楔形腔解复用器的研究第23-51页
   ·光电子器件微结构发展概述第23-34页
       ·DFB结构第24-25页
       ·DFB的基本结构及原理第24-25页
         ·DFB的优缺点第25页
       ·DBR结构及其应用第25-29页
         ·DBR基本理论概述:第25-28页
         ·构成DBR的材料第28-29页
       ·超晶格材料的晶体结构及特性第29-34页
       ·超晶格材料的晶体结构第29-30页
         ·晶格结构中的周期势场和电子态第30-34页
         ·超晶格的应用第34页
     ·F-P腔不平行度对谐振特性影响的研究第34-42页
       ·F-P腔原理简述:第34-35页
       ·平面镜F-P腔(Plane-Mirror Fabry-Perot)传输函数理论第35-37页
     ·不平行腔的透射谱计算理论第37-39页
     ·相关结果分析:第39-41页
       ·透射光沿腔体出射面上的强度分布第39-41页
       ·不平行腔楔角对谐振特性影响第41页
     ·结论:第41-42页
     ·新型楔形腔解复用接收器件的研究第42-49页
       ·器件结构及参数设置:第42-44页
       ·理论分析和数值模拟第44-49页
       ·结论:第49页
   ·小结第49-51页
第四章 MOCVD外延生长与INP基斜面制作及测量第51-58页
   ·MOCVD外延生长第51-54页
       ·MOCVD外延生长简介第51-52页
     ·MOCVD外延生长机理第52-54页
   ·INP基斜面制各工艺的实验研究第54-57页
     ·斜面制作原理简介第54页
     ·实验结果第54-57页
   ·小结第57-58页
参考文献第58-61页
致谢第61页

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