功率MOSFET低温动态特性研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-17页 |
| ·低温功率电子学的起源 | 第8页 |
| ·常用功率器件的低温性能 | 第8-9页 |
| ·功率MOSFET 低温动态特性研究的意义 | 第9-10页 |
| ·潜在的应用领域 | 第10-11页 |
| ·超导电工中的应用 | 第10页 |
| ·核磁共振成像装置中的应用 | 第10-11页 |
| ·太空探索中的应用 | 第11页 |
| ·功率MOSFET 低温动态特性研究现状 | 第11-14页 |
| ·本论文主要工作 | 第14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第二章 功率MOSFET 动态特性分析 | 第17-31页 |
| ·绪论 | 第17页 |
| ·功率MOSFET 分类 | 第17-18页 |
| ·功率MOSFET 动态特性原理 | 第18-22页 |
| ·纯阻性负载条件 | 第18-20页 |
| ·非箝位感性负载条件 | 第20-22页 |
| ·基于电荷分布的功率MOSFET 动态特性分析 | 第22-26页 |
| ·功率MOSFET 内部MIS 结特性分析 | 第22-24页 |
| ·功率MOSFET 开通过程分析 | 第24-26页 |
| ·开通过程极间电容变化规律 | 第26-29页 |
| ·漏源电容 | 第26-27页 |
| ·栅漏电容 | 第27-28页 |
| ·栅源电容 | 第28-29页 |
| ·小结 | 第29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 功率MOSFET 低温驱动电路的研究 | 第31-39页 |
| ·绪论 | 第31页 |
| ·典型参数和实验线路 | 第31-33页 |
| ·IR2117 | 第31-32页 |
| ·IR2153 | 第32页 |
| ·MAX4420 | 第32-33页 |
| ·实验方法 | 第33-34页 |
| ·实验结果及分析 | 第34-37页 |
| ·IR2117 | 第34-35页 |
| ·IR2153 | 第35-36页 |
| ·MAX4420 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37页 |
| ·低温驱动电路研究前景展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 低温动态特性实验平台和测试方法 | 第39-48页 |
| ·绪论 | 第39页 |
| ·实验平台的主要特点 | 第39-40页 |
| ·纯阻性负载条件动态特性参数 | 第40-41页 |
| ·非箝位负载条件动态特性参数 | 第41页 |
| ·栅极驱动电路设计 | 第41-43页 |
| ·变温环境设计 | 第43-44页 |
| ·被测功率MOSFET 型号和参数列表 | 第44页 |
| ·实验线路图 | 第44-46页 |
| ·纯阻性负载条件 | 第44-45页 |
| ·非箝位感性负载条件 | 第45-46页 |
| ·实验流程 | 第46-47页 |
| ·纯阻性负载实验流程 | 第46-47页 |
| ·非箝位感性负载实验流程 | 第47页 |
| ·结论 | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第五章 功率MOSFET 低温动态特性 | 第48-60页 |
| ·纯阻性负载条件 | 第48-55页 |
| ·绪论 | 第48-49页 |
| ·IRFP460 实验结果 | 第49-52页 |
| ·77K~300K 典型开关波形 | 第49-50页 |
| ·动态特性参数变化规律 | 第50-52页 |
| ·APT50208VFR 实验结果 | 第52-55页 |
| ·77K~300K 典型开关波形 | 第52-54页 |
| ·动态特性参数变化规律 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55页 |
| ·非箝位感性负载条件 | 第55-58页 |
| ·77K~300K 实验结果 | 第55-57页 |
| ·参数计算与分析 | 第57-58页 |
| ·结论 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第六章 功率MOSFET 低温动态特性仿真研究 | 第60-76页 |
| ·绪论 | 第60页 |
| ·功率MOSFET 低温仿真综述 | 第60-62页 |
| ·功率MOSFET 模型分类 | 第60-61页 |
| ·功率MOSFET 低温仿真研究现状 | 第61页 |
| ·本文低温仿真思路 | 第61-62页 |
| ·温度对器件内部参数的影响 | 第62-66页 |
| ·温度对杂质电离率的影响 | 第62-63页 |
| ·温度对载流子迁移率的影响 | 第63页 |
| ·温度对载流子产生与复合率的影响 | 第63-64页 |
| ·温度对边界条件的影响 | 第64页 |
| ·温度对极间电容的影响 | 第64-66页 |
| ·漏源电容 | 第64-65页 |
| ·栅漏电容 | 第65-66页 |
| ·栅源电容 | 第66页 |
| ·低温电路级仿真尝试 | 第66-68页 |
| ·模型改进考虑的问题 | 第67页 |
| ·改进模型中参数分析 | 第67-68页 |
| ·低温仿真实例 | 第68-72页 |
| ·求模型中参数值 | 第68-69页 |
| ·仿真过程 | 第69-70页 |
| ·仿真结果分析 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| ·低温功率MOSFET 电路级仿真研究展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第七章 全文总结 | 第76-78页 |
| ·主要研究成果 | 第76-77页 |
| ·研究前景展望 | 第77-78页 |
| 发表文章情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 论文答辩说明 | 第80页 |
