高功率半导体激光器腔面膜的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·高功率半导体激光器的发展状况 | 第8-9页 |
| ·论文研究目的和内容 | 第9-10页 |
| 第二章 激光器的物理基础及基本结构 | 第10-18页 |
| ·光的自发发射、受激发射与受激吸收 | 第10-14页 |
| ·光的自发发射 | 第10-11页 |
| ·光的受激发射 | 第11-12页 |
| ·光的受激吸收 | 第12页 |
| ·爱因斯坦系数关系式 | 第12-14页 |
| ·激光器的发光原理 | 第14-16页 |
| ·粒子数反转及其能级系统 | 第14-15页 |
| ·激光器运转的物理过程 | 第15-16页 |
| ·激光器的基本结构 | 第16-18页 |
| ·光学谐振腔的作用 | 第16页 |
| ·光学谐振腔中的腔面膜 | 第16-18页 |
| 第三章 膜系设计 | 第18-31页 |
| ·光学材料的选取 | 第18-25页 |
| ·透明度 | 第18-19页 |
| ·吸收和散射性 | 第19-20页 |
| ·折射率 | 第20-21页 |
| ·机械牢固度和化学稳定性 | 第21页 |
| ·抗激光损伤 | 第21-24页 |
| ·介质和半导体薄膜材料介绍 | 第24-25页 |
| ·膜系设计 | 第25-31页 |
| ·未镀膜时的情况 | 第25-26页 |
| ·单层介质膜的设计 | 第26-27页 |
| ·多层介质膜的设计分析 | 第27-29页 |
| ·理论计算 | 第29-31页 |
| 第四章 光学薄膜的制备 | 第31-45页 |
| ·腔面膜制备的装置 | 第31-36页 |
| ·真空度对蒸发分子的影响 | 第32页 |
| ·薄膜蒸发技术 | 第32-36页 |
| ·腔面膜制备的工艺 | 第36-43页 |
| ·主要工艺因素分析 | 第36-38页 |
| ·实验步骤 | 第38-39页 |
| ·注意事项 | 第39页 |
| ·膜层厚度的均匀性 | 第39-40页 |
| ·薄膜厚度的控制 | 第40-43页 |
| ·测试方法介绍 | 第43-45页 |
| ·结构和成分的测试分析. | 第43-44页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第44页 |
| ·薄膜光学性质测量 | 第44-45页 |
| 第五章 实验结果及分析 | 第45-52页 |
| ·腔面膜的特性研究 | 第45-49页 |
| ·基板温度对硅膜性能的影响 | 第45-47页 |
| ·真空压力对硅膜的影响 | 第47-49页 |
| ·气体流量对硅膜的影响 | 第49页 |
| ·实验数据 | 第49-50页 |
| ·实验结果 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 长春理工大学硕士学位论文原创性声明 | 第56页 |
| 长春理工大学学位论文版权使用授权书 | 第56页 |
