摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
论文的主要创新与贡献 | 第9-10页 |
目录 | 第10-13页 |
第一章 文献综述 | 第13-45页 |
·引言 | 第13-15页 |
·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的制备 | 第15-17页 |
·传统Bridgman法 | 第15页 |
·高压以及其他Bridgman法 | 第15-17页 |
·CZT探测器的发展和应用 | 第17-23页 |
·CZT探测器的类型 | 第18-21页 |
·CZT探测器的应用 | 第21-23页 |
·CZT晶体的电学性能 | 第23-28页 |
·CZT晶体的电阻率 | 第23-25页 |
·CZT晶体载流子的输运特性 | 第25-26页 |
·CZT晶体的导电类型 | 第26-28页 |
·CZT晶体的光学性能 | 第28-31页 |
·光致发光特性 | 第28-30页 |
·红外特性 | 第30-31页 |
·CZT晶体的表面处理、金属接触以及掺杂行为 | 第31-36页 |
·CZT表面钝化 | 第31-32页 |
·CZT晶体与金属接触特性 | 第32-35页 |
·In掺杂行为 | 第35-36页 |
·本文的研究内容 | 第36-37页 |
本章参考文献 | 第37-45页 |
第二章 CZT晶体的表面态与表面处理 | 第45-60页 |
·CZT晶体的钝化原理和工艺 | 第45-47页 |
·CZT晶体表面态研究 | 第47-52页 |
·采用角分辨光电子谱研究CZT晶体表面态 | 第47页 |
·同步辐射X射线光电子能谱(SXPS)研究CZT晶体表面钝化 | 第47-49页 |
·XPS能谱研究CZT钝化表面 | 第49-51页 |
·光致发光(PL)谱研究CZT晶体表面钝化 | 第51-52页 |
·CZT晶体钝化前后的能带图和空穴输运途径图 | 第52-54页 |
·同步辐射X射线光电子能谱计算Au/CZT接触的势垒高度 | 第54-57页 |
·本章小结 | 第57页 |
本章参考文献 | 第57-60页 |
第三章 CZT晶体的I-V和C-V电学特性 | 第60-73页 |
·Au与CZT晶体接触的电学特性 | 第60-67页 |
·Au/CZT晶体接触的电流-电压(I-V)特性 | 第60-63页 |
·Au/CZT晶体接触的电压-电容(C-V)特性 | 第63-67页 |
·耗尽层宽度以及应用电场的计算 | 第67-69页 |
·三种计算接触势垒高度比较 | 第69-70页 |
·本章小结 | 第70页 |
本章参考文献 | 第70-73页 |
第四章 金属-CZT晶体接触电学特性与退火的影响 | 第73-86页 |
·生长态的CZT晶体退火处理 | 第73-75页 |
·不同金属与CZT晶体的接触特性 | 第75-80页 |
·Au沉积CZT晶体表面的PL谱 | 第80页 |
·高阻CZT晶体与Au接触的XPS分析 | 第80-81页 |
·Au与CZT晶体接触的退火行为 | 第81-84页 |
·本章小结 | 第84页 |
本章参考文献 | 第84-86页 |
第五章 锢(In)掺杂对CZT晶体性能的影响 | 第86-101页 |
·In掺杂CZT晶体的PL谱分析 | 第86-91页 |
·In掺杂CZT晶体的能级计算 | 第87-89页 |
·PL谱与温度的依赖关系 | 第89-91页 |
·不同掺杂量的CZT:In晶体PL谱 | 第91-95页 |
·CZT:In晶体的红外透过特性 | 第95-97页 |
·CZT:In晶体的电学性能 | 第97-98页 |
·本章小结 | 第98-99页 |
本章参考文献 | 第99-101页 |
第六章 CZT探测器的试制 | 第101-112页 |
·CZT辐射探测器工作原理 | 第101-103页 |
·CZT探测器的信号和提高其性能的方法 | 第103-106页 |
·CZT探测器的制作工艺 | 第106-108页 |
·晶片的切割与抛光 | 第106页 |
·腐蚀与钝化 | 第106-107页 |
·电极制作 | 第107页 |
·光刻 | 第107页 |
·封装 | 第107-108页 |
·CZT探测器的能谱测试 | 第108-109页 |
·像素CZT探测器的初探 | 第109-111页 |
·本章小结 | 第111页 |
本章参考文献 | 第111-112页 |
主要结论 | 第112-114页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第114-117页 |
致谢 | 第117-118页 |