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用脉冲激光沉积法制备半导体薄膜及性能研究

摘要第1-8页
Abstract第8-10页
第一章 绪论第10-26页
 1.1 PbSe薄膜研究概述第11-18页
  1.1.1 PbSe材料的结构、性质第11-13页
   1.1.1.1 PbSe材料的晶体结构第12页
   1.1.1.2 PbSe材料的性质第12-13页
  1.1.2 PbSe材料的应用第13-14页
   1.1.2.1 在红外探测器中的应用第13-14页
   1.1.2.2 在半导体激光器中的应用第14页
  1.1.3 PbSe材料国内外研究状况第14-18页
   1.1.3.1 PbSe薄膜制备技术研究第14-16页
   1.1.3.2 影响PbSe薄膜质量的因素第16-18页
 1.2 ZnO薄膜研究概述第18-24页
  1.2.1 ZnO薄膜的晶体结构和性能第18-21页
   1.2.1.1 ZnO薄膜的晶体结构第18-19页
   1.2.1.2 ZnO薄膜的基本特性第19-21页
  1.2.2 ZnO薄膜的应用第21页
  1.2.3 ZnO薄膜国内外研究状况第21-24页
   1.2.3.1 ZnO薄膜制备技术第21-23页
   1.2.3.2 ZnO薄膜的性能研究第23-24页
 1.3 本论文的主要研究内容第24-26页
第二章 PLD法制备PbSe薄膜和ZnO及其Mn掺杂ZnO薄膜第26-32页
 2.1 脉冲激光沉积(PLD)原理第26-28页
  2.1.1 PLD概述第26-27页
  2.1.2 PLD原理第27-28页
 2.2 脉冲激光沉积系统组成第28-29页
 2.3 薄膜制备第29-31页
  2.3.1 PbSe薄膜的制备第29-30页
  2.3.2 ZnO和Zn_(1-x)Mn_xO薄膜的制备第30-31页
 2.4 薄膜的性能表征方法第31页
 2.5 本章小结第31-32页
第三章 PbSe薄膜结构、表面形貌和光电性能分析第32-52页
 3.1 仪器设备第32页
 3.2 原理概述第32-35页
  3.2.1 扫描电镜X射线能谱分析第32页
  3.2.2 X射线衍射(XRD)第32-33页
  3.2.3 原子力显微镜(AFM)第33-34页
  3.2.4 傅立叶变换红外光谱仪第34-35页
 3.3 X射线能谱测试结果分析第35-36页
 3.4 XRD测试结果分析第36-38页
  3.4.1 基片对PbSe薄膜结构的影响第36-38页
  3.4.2 温度对PbSe薄膜结构的影响第38页
 3.5 AFM测试结果分析第38-41页
  3.5.1 生长温度对薄膜表面形貌的影响第38-40页
  3.5.2 激光能量对薄膜表面形貌的影响第40-41页
 3.6 PbSe薄膜的光电性能第41-49页
  3.6.1 半导体能带论概述第42-43页
  3.6.2 半导体的光吸收第43-46页
  3.6.3 半导体的光电导第46-47页
  3.6.4 PbSe薄膜的吸收光谱第47-48页
  3.6.5 PbSe薄膜的光电性能第48-49页
  3.6.6 PbSe/Si PN结的伏安特性第49页
 3.7 本章小结第49-52页
第四章 ZnO薄膜的测试结果与分析第52-58页
 4.1 仪器设备第52页
 4.2 分光光度计原理概述第52-53页
 4.3 测试结果分析第53-57页
  4.3.1 XRD测试结果分析第53-54页
  4.3.2 AFM测试结果分析第54-55页
  4.3.3 UV-VIS吸收光谱结果分析第55-56页
  4.3.4 ZnO薄膜的PL发射谱第56-57页
 4.4 本章小结第57-58页
第五章 Zn_(1-x)Mn_xO薄膜的测试结果与分析第58-64页
 5.1 XRD测试结果分析第58页
 5.2 扫描电镜X射线能谱结果分析第58-60页
 5.3 AFM结果分析第60-61页
 5.4 UV-VIS吸收光谱结果分析第61-62页
 5.5 本章小结第62-64页
第六章 结论与展望第64-72页
 6.1 结论第64-65页
 6.2 展望第65-72页
硕士期间发表论文第72-74页
致谢第74-76页

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