摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第10-26页 |
1.1 PbSe薄膜研究概述 | 第11-18页 |
1.1.1 PbSe材料的结构、性质 | 第11-13页 |
1.1.1.1 PbSe材料的晶体结构 | 第12页 |
1.1.1.2 PbSe材料的性质 | 第12-13页 |
1.1.2 PbSe材料的应用 | 第13-14页 |
1.1.2.1 在红外探测器中的应用 | 第13-14页 |
1.1.2.2 在半导体激光器中的应用 | 第14页 |
1.1.3 PbSe材料国内外研究状况 | 第14-18页 |
1.1.3.1 PbSe薄膜制备技术研究 | 第14-16页 |
1.1.3.2 影响PbSe薄膜质量的因素 | 第16-18页 |
1.2 ZnO薄膜研究概述 | 第18-24页 |
1.2.1 ZnO薄膜的晶体结构和性能 | 第18-21页 |
1.2.1.1 ZnO薄膜的晶体结构 | 第18-19页 |
1.2.1.2 ZnO薄膜的基本特性 | 第19-21页 |
1.2.2 ZnO薄膜的应用 | 第21页 |
1.2.3 ZnO薄膜国内外研究状况 | 第21-24页 |
1.2.3.1 ZnO薄膜制备技术 | 第21-23页 |
1.2.3.2 ZnO薄膜的性能研究 | 第23-24页 |
1.3 本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
第二章 PLD法制备PbSe薄膜和ZnO及其Mn掺杂ZnO薄膜 | 第26-32页 |
2.1 脉冲激光沉积(PLD)原理 | 第26-28页 |
2.1.1 PLD概述 | 第26-27页 |
2.1.2 PLD原理 | 第27-28页 |
2.2 脉冲激光沉积系统组成 | 第28-29页 |
2.3 薄膜制备 | 第29-31页 |
2.3.1 PbSe薄膜的制备 | 第29-30页 |
2.3.2 ZnO和Zn_(1-x)Mn_xO薄膜的制备 | 第30-31页 |
2.4 薄膜的性能表征方法 | 第31页 |
2.5 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 PbSe薄膜结构、表面形貌和光电性能分析 | 第32-52页 |
3.1 仪器设备 | 第32页 |
3.2 原理概述 | 第32-35页 |
3.2.1 扫描电镜X射线能谱分析 | 第32页 |
3.2.2 X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
3.2.3 原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
3.2.4 傅立叶变换红外光谱仪 | 第34-35页 |
3.3 X射线能谱测试结果分析 | 第35-36页 |
3.4 XRD测试结果分析 | 第36-38页 |
3.4.1 基片对PbSe薄膜结构的影响 | 第36-38页 |
3.4.2 温度对PbSe薄膜结构的影响 | 第38页 |
3.5 AFM测试结果分析 | 第38-41页 |
3.5.1 生长温度对薄膜表面形貌的影响 | 第38-40页 |
3.5.2 激光能量对薄膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
3.6 PbSe薄膜的光电性能 | 第41-49页 |
3.6.1 半导体能带论概述 | 第42-43页 |
3.6.2 半导体的光吸收 | 第43-46页 |
3.6.3 半导体的光电导 | 第46-47页 |
3.6.4 PbSe薄膜的吸收光谱 | 第47-48页 |
3.6.5 PbSe薄膜的光电性能 | 第48-49页 |
3.6.6 PbSe/Si PN结的伏安特性 | 第49页 |
3.7 本章小结 | 第49-52页 |
第四章 ZnO薄膜的测试结果与分析 | 第52-58页 |
4.1 仪器设备 | 第52页 |
4.2 分光光度计原理概述 | 第52-53页 |
4.3 测试结果分析 | 第53-57页 |
4.3.1 XRD测试结果分析 | 第53-54页 |
4.3.2 AFM测试结果分析 | 第54-55页 |
4.3.3 UV-VIS吸收光谱结果分析 | 第55-56页 |
4.3.4 ZnO薄膜的PL发射谱 | 第56-57页 |
4.4 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 Zn_(1-x)Mn_xO薄膜的测试结果与分析 | 第58-64页 |
5.1 XRD测试结果分析 | 第58页 |
5.2 扫描电镜X射线能谱结果分析 | 第58-60页 |
5.3 AFM结果分析 | 第60-61页 |
5.4 UV-VIS吸收光谱结果分析 | 第61-62页 |
5.5 本章小结 | 第62-64页 |
第六章 结论与展望 | 第64-72页 |
6.1 结论 | 第64-65页 |
6.2 展望 | 第65-72页 |
硕士期间发表论文 | 第72-74页 |
致谢 | 第74-76页 |