SOI高压集成电路的隔离技术研究
| 摘 要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·论文研究背景与意义 | 第9-10页 |
| ·SOI 的基本结构 | 第10-11页 |
| ·SOI 材料制备 | 第11-15页 |
| ·SOI 技术的研究现状与发展 | 第15-19页 |
| ·SOI 技术的优势及应用 | 第15-17页 |
| ·国内外发展动态 | 第17-19页 |
| ·本文主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 SOI 隔离技术研究 | 第20-50页 |
| ·集成电路中的隔离技术 | 第20-22页 |
| ·基于SOI 的隔离技术 | 第22-27页 |
| ·硅岛隔离技术 | 第22-24页 |
| ·LOCOS 隔离技术 | 第24-26页 |
| ·浅槽隔离技术 | 第26-27页 |
| ·厚膜SOI 基深槽介质隔离结构设计 | 第27-29页 |
| ·深槽隔离结构理想模型仿真 | 第29-35页 |
| ·无高压互连线的深槽隔离结构仿真 | 第29-32页 |
| ·有高压互连线的深槽隔离结构仿真 | 第32-35页 |
| ·深槽隔离结构工艺设计 | 第35-36页 |
| ·深槽隔离结构工艺模拟 | 第36-42页 |
| ·深槽隔离结构实际模型仿真 | 第42-49页 |
| ·击穿电压与隔离槽宽的关系 | 第43-44页 |
| ·击穿电压与槽壁氧化层厚度的关系 | 第44-47页 |
| ·槽宽与所填多晶厚度的关系 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 SOI 深槽隔离单项实验 | 第50-66页 |
| ·隔离结构版图绘制 | 第50-52页 |
| ·设计规则 | 第50-51页 |
| ·隔离结构版图设计 | 第51-52页 |
| ·工艺流片 | 第52-57页 |
| ·实验方案 | 第53页 |
| ·SOI 材料制备 | 第53页 |
| ·隔离实验工艺流程 | 第53-57页 |
| ·实验测试与结果分析 | 第57-64页 |
| ·槽的剖面检测与测试 | 第58-62页 |
| ·隔离结构的击穿电压测试 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第四章 隔离结构在SOI 高压集成电路中的应用 | 第66-72页 |
| ·SOI 高压集成技术概述 | 第66-67页 |
| ·SOI 高压集成电路整体结构 | 第67-68页 |
| ·测试结果及分析 | 第68-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79页 |
| 个人简历 | 第79页 |
