| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-33页 |
| 2．1 引言 | 第12-14页 |
| 2．1．1 太阳能电池概述 | 第12页 |
| 2．1．2 太阳能电池的构造和原 | 第12-13页 |
| 2．1．3 太阳能电池材料 | 第13-14页 |
| 2．2 多晶硅薄膜的制各方法 | 第14-26页 |
| 2．2．1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第15-17页 |
| 2．2．1．1 等离子体增强化学气相沉积法制备多晶硅薄膜 | 第15-16页 |
| 2．2．1．2 等离子体增强化学气相沉积法制备多晶硅薄膜的机理 | 第16-17页 |
| 2．2．2 电子束蒸发法(EBE)制备硅薄膜 | 第17-19页 |
| 2．2．3 固相晶化非晶硅薄膜法(SPC) | 第19页 |
| 2．2．4 金属诱导晶化非晶硅薄膜(MIC) | 第19-24页 |
| 2．2．4．1 金属诱导非晶硅薄膜晶化法制备多晶硅薄膜 | 第19-20页 |
| 2．2．4．2 金属诱导非晶硅薄膜低温晶化的机 | 第20-24页 |
| 2．2．4．2．1 金属在低温诱导中的作用 | 第20-23页 |
| 2．2．4．2．2 金属诱导的反应动力学解释 | 第23-24页 |
| 2．2．5 非晶硅薄膜快速热处理(RTP)低温品化法 | 第24-26页 |
| 2．3 本论文的研究目的与意义 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-33页 |
| 第三章 实验设计、设备与过程 | 第33-43页 |
| 3．1 实验设计 | 第33-34页 |
| 3．1．1 等离子体增强化学气相沉积法试制多晶硅薄膜 | 第33页 |
| 3．1．2 快速热预处理对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第33页 |
| 3．1．3 衬底性质和去氢处理对氢化非晶硅薄膜品化的影响 | 第33-34页 |
| 3．1．4 电子束蒸发法制备硅薄膜及其后续快速热处理 | 第34页 |
| 3．2 实验设备 | 第34-39页 |
| 3．2．1 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备 | 第34-35页 |
| 3．2．2 电子束蒸发(EBE)设备 | 第35-38页 |
| 3．2．3 快速热处理(RTP)设备 | 第38-39页 |
| 3．3 测试设备 | 第39-40页 |
| 3．3．1 X射线衍射仪(XRD) | 第39页 |
| 3．3．2 激光喇曼光谱(RaMAN) | 第39-40页 |
| 3．4 实验材料 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 等离子体增强化学气相沉积法试制多晶硅薄膜 | 第43-50页 |
| 4．1 引言 | 第43页 |
| 4．2 实验 | 第43-44页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第44-48页 |
| 4．4 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 快速热预处理对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第50-58页 |
| 5．1 引言 | 第50页 |
| 5．2 实验 | 第50-51页 |
| 5．3 结果与讨论 | 第51-54页 |
| 5．4 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第六章 衬底性质和去氢处理对氢化非晶硅薄膜晶化的影响 | 第58-67页 |
| 6．1 引言 | 第58-59页 |
| 6．2 实验 | 第59-60页 |
| 6．3 结果与讨论 | 第60-64页 |
| 6．4 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第七章 电子束蒸发法制备硅薄膜及其后续快速热处理 | 第67-78页 |
| 7．1 引言 | 第67页 |
| 7．2 实验 | 第67-69页 |
| 7．3 结果与讨论 | 第69-74页 |
| 7．3．1 衬底温度在硅薄膜蒸镀过程中的影响 | 第69页 |
| 7．3．2 薄膜快速热处理过程 | 第69-73页 |
| 7．3．3 衬底温度对快速热处理过程的影响 | 第73-74页 |
| 7．4 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第八章 结论 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
