无生产线模式微波单片集成电路设计与实验研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 概述 | 第9-19页 |
·微波单片集成电路的发展 | 第9-11页 |
·微波单片集成电路在雷达方面的需求及应用 | 第11-15页 |
·雷达系统简介 | 第11-13页 |
·雷达T/R 组件 | 第13-15页 |
·本文主要工作 | 第15-17页 |
参考文献 | 第17-19页 |
第二章 工艺介绍及实现途径 | 第19-29页 |
·工艺介绍 | 第19-23页 |
·MESFET 工艺 | 第19-21页 |
·HEMT 工艺与PHEMT 工艺 | 第21-23页 |
·本次设计所采用的工艺及实现途径 | 第23-27页 |
·工艺介绍 | 第23-24页 |
·实现途径 | 第24-25页 |
·设计环境 | 第25-27页 |
参考文献 | 第27-29页 |
第三章 X 波段宽带单刀双掷开关 | 第29-45页 |
·微波开关的分类 | 第29页 |
·微波开关的特性分析 | 第29-38页 |
·FET 开关的等效电路 | 第29-30页 |
·FET 开关的性能指标 | 第30-34页 |
·开关电路结构分类 | 第34-36页 |
·单刀双掷开关的改进措施 | 第36-38页 |
·X 波段单刀双掷开关的设计 | 第38-40页 |
·设计指标 | 第38-39页 |
·单刀双掷开关的电路结构及改进之处 | 第39-40页 |
·单刀双掷开关的仿真结果 | 第40页 |
·单刀双掷开关的版图设计 | 第40-41页 |
·测试结果及分析 | 第41-44页 |
参考文献 | 第44-45页 |
第四章 X 波段低噪声放大器单片集成电路 | 第45-65页 |
·有源二端口网络的基本特性 | 第45-53页 |
·微波晶体管放大器的噪声参量 | 第45-48页 |
·宽带噪声匹配的理论 | 第48-50页 |
·低噪声放大器增益、噪声系数设计的考虑 | 第50-51页 |
·稳定性 | 第51-53页 |
·宽带放大器匹配网络的设计 | 第53-55页 |
·宽带低噪声放大器的设计 | 第55-61页 |
·设计指标 | 第55页 |
·宽带低噪声放大器拓扑结构设计考虑 | 第55-56页 |
·直流偏置和栅宽的选取 | 第56-58页 |
·电路结构及仿真指标 | 第58-60页 |
·实现工艺及版图 | 第60-61页 |
·测试结果及分析 | 第61页 |
·结论 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-65页 |
第五章 21-28GHz 平衡式放大器设计 | 第65-86页 |
·概述 | 第65页 |
·定向功率耦合器的实现形式 | 第65-72页 |
·定向耦合器的技术指标 | 第66页 |
·分支定向耦合器的结构和特征 | 第66-67页 |
·混合环 | 第67-68页 |
·平行耦合线定向耦合器 | 第68-70页 |
·Lange 耦合器的特性 | 第70-72页 |
·平衡式放大器的原理 | 第72-74页 |
·功率放大器设计 | 第74-78页 |
·负载牵引工作原理 | 第74-78页 |
·电路设计 | 第78-80页 |
·Lange 耦合器的设计 | 第78页 |
·单路放大器的设计 | 第78-79页 |
·平衡式放大器整体电路的设计、仿真 | 第79-80页 |
·实现工艺及版图 | 第80-81页 |
·测试结果及分析 | 第81-83页 |
·结论 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-86页 |
第六章 26-33 GHz 单平衡混频器 | 第86-118页 |
·引言 | 第86页 |
·混频器分类 | 第86-88页 |
·有源FET 混频器 | 第86-87页 |
·电阻性FET 混频器 | 第87页 |
·无源混频器 | 第87-88页 |
·肖特基势垒二极管 | 第88-104页 |
·金属-半导体的能带结构 | 第88-89页 |
·金属-半导体结(简称M-S 结)二极管的特性 | 第89-94页 |
·混频二极管的电参数 | 第94-95页 |
·非线性电阻的混频原理 | 第95-97页 |
·二极管混频器的电路结构 | 第97-104页 |
·26-31GHz 单平衡混频器的设计 | 第104-115页 |
·本次电路设计指标 | 第104页 |
·电路设计考虑 | 第104-108页 |
·电路仿真结果 | 第108-110页 |
·版图设计 | 第110页 |
·混频器测试过程及结果分析 | 第110-115页 |
·总结 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-118页 |
第七章 总结 | 第118-120页 |
致谢 | 第120页 |