| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-30页 |
| ·大气压冷等离子体概述 | 第11-18页 |
| ·电晕放电 | 第11-14页 |
| ·介质阻挡放电 | 第14-16页 |
| ·大气压冷等离子体射流 | 第16-18页 |
| ·硅薄膜的分类及应用 | 第18-23页 |
| ·硅薄膜的分类 | 第18-20页 |
| ·硅薄膜的应用 | 第20-23页 |
| ·等离子制备硅薄膜研究现状 | 第23-27页 |
| ·采用不同的等离子源开展的工作 | 第25-26页 |
| ·采用不同硅源的工作 | 第26-27页 |
| ·本文的研究背景和内容 | 第27-30页 |
| ·本文的研究背景 | 第27-29页 |
| ·本文的研究内容 | 第29-30页 |
| 2 大气压等离子体射流发生装置 | 第30-44页 |
| ·同轴电极结构 | 第30-33页 |
| ·打孔电极装置 | 第33-43页 |
| ·圆孔电极 | 第34-39页 |
| ·条形孔电极 | 第39-40页 |
| ·孔的尺寸和电极材料对放电的影响 | 第40-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 3 大气压冷等离子体射流的参数诊断 | 第44-77页 |
| ·等离子体诊断技术简介 | 第44-47页 |
| ·电学方法诊断大气压等离子体射流电子密度 | 第47-58页 |
| ·等效电路法诊断大气压等离子体射流电子密度的原理 | 第47-53页 |
| ·等效电路法诊断大气压等离子体射流电子密度结果及讨论 | 第53-58页 |
| ·发射光谱法诊断大气压等离子体射流温度 | 第58-74页 |
| ·纯氩气放电中振动温度、转动温度及电子激发温度的测量 | 第59-65页 |
| ·Ar/H_2/SiCl_4混合气体中电子激发温度的测量 | 第65-74页 |
| ·本章小结 | 第74-77页 |
| 4 大气压射流装置沉积硅薄膜的实验研究 | 第77-99页 |
| ·薄膜的制备 | 第77-79页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第79-80页 |
| ·薄膜的厚度与生长速率 | 第80-81页 |
| ·薄膜的成分 | 第81-90页 |
| ·样品中的元素种类 | 第81-82页 |
| ·不同样品的元素沿深度分布情况 | 第82-84页 |
| ·薄膜中硅元素的存在形态及薄膜的氧化机理 | 第84-90页 |
| ·薄膜的形貌 | 第90-93页 |
| ·外加功率对薄膜形貌的影响 | 第90-91页 |
| ·四氯化硅流量对薄膜形貌的影响 | 第91-92页 |
| ·氢气流量对薄膜形貌的影响 | 第92页 |
| ·氩气流量对薄膜形貌的影响 | 第92-93页 |
| ·在其他衬底上沉积薄膜的尝试 | 第93-97页 |
| ·实验参数的选择 | 第93-94页 |
| ·在玻璃衬底上沉积硅薄膜 | 第94-96页 |
| ·在陶瓷衬底上沉积薄膜 | 第96-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 5 结论与展望 | 第99-103页 |
| ·本文主要结论 | 第99-101页 |
| ·对未来工作的展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 本文创新点摘要 | 第113-114页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
