第一章 绪论 | 第1-11页 |
·国内外研究概况 | 第5-10页 |
·论文内容安排 | 第10-11页 |
第二章 量子阱中的电子态和材料的压力系数 | 第11-16页 |
·量子阱中的电子态 | 第11-13页 |
·材料的压力系数 | 第13-16页 |
·禁带宽度的压力系数 | 第13页 |
·载流子有效质量的压力系数 | 第13页 |
·介电常数的压力系数 | 第13-15页 |
·晶格振动频率的压力系数 | 第15-16页 |
第三章 半导体量子阱中杂质态结合能的压力效应 | 第16-24页 |
·理论模型 | 第16-18页 |
·数值计算结果与讨论 | 第18-20页 |
·结论 | 第20-24页 |
第四章 半导体量子阱中激子结合能的压力效应 | 第24-31页 |
·理论模型 | 第24-26页 |
·数值计算结果与讨论 | 第26-28页 |
·结论 | 第28-31页 |
第五章 压力下半导体量子阱中激子的极化子效应 | 第31-43页 |
·理论模型 | 第31-37页 |
·数值计算结果与讨论 | 第37-40页 |
·结论 | 第40-43页 |
参考文献 | 第43-49页 |
英文摘要 | 第49-51页 |
作者论文目录 | 第51页 |