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半导体量子阱中的杂质态和激子的压力效应

第一章 绪论第1-11页
   ·国内外研究概况第5-10页
   ·论文内容安排第10-11页
第二章 量子阱中的电子态和材料的压力系数第11-16页
   ·量子阱中的电子态第11-13页
   ·材料的压力系数第13-16页
     ·禁带宽度的压力系数第13页
     ·载流子有效质量的压力系数第13页
     ·介电常数的压力系数第13-15页
     ·晶格振动频率的压力系数第15-16页
第三章 半导体量子阱中杂质态结合能的压力效应第16-24页
   ·理论模型第16-18页
   ·数值计算结果与讨论第18-20页
   ·结论第20-24页
第四章 半导体量子阱中激子结合能的压力效应第24-31页
   ·理论模型第24-26页
   ·数值计算结果与讨论第26-28页
   ·结论第28-31页
第五章 压力下半导体量子阱中激子的极化子效应第31-43页
   ·理论模型第31-37页
   ·数值计算结果与讨论第37-40页
   ·结论第40-43页
参考文献第43-49页
英文摘要第49-51页
作者论文目录第51页

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