| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| ·压敏电阻器概述 | 第11-13页 |
| ·ZnO压敏电阻 | 第13-20页 |
| ·ZnO压敏电阻的压敏特性及主要性能参数 | 第13-17页 |
| ·ZnO压敏电阻的微观结构 | 第17-18页 |
| ·ZnO压敏电阻在工程中的应用 | 第18-20页 |
| ·ZnO压敏电阻国内外研究现状及发展趋势 | 第20-27页 |
| ·化学方法制备超微细压敏粉体材料 | 第21-22页 |
| ·非线性伏安特性的导电机理 | 第22页 |
| ·晶界特性的蜕变及机理 | 第22-23页 |
| ·稳定性与晶界相变研究 | 第23-24页 |
| ·添加剂的研究 | 第24-25页 |
| ·技术发展方向 | 第25-27页 |
| ·ZnO压敏电阻研究中进一步有待解决的问题 | 第27-29页 |
| ·本文研究的难点、思路、目标及意义 | 第29-32页 |
| ·本文研究的难点、思路、目标 | 第29-31页 |
| ·本文研究的意义 | 第31-32页 |
| ·本文研究内容 | 第32-33页 |
| ·本文的技术路线及研究方法 | 第33-34页 |
| ·本文的技术路线 | 第33页 |
| ·本文的研究方法 | 第33-34页 |
| ·本文创新点及先进性 | 第34-36页 |
| ·采用稀土添加剂 | 第34页 |
| ·采用Sol-Gel法制备ZnO纳米复合粉体 | 第34-36页 |
| 第二章 ZnO纳米复合粉体与试样的制备 | 第36-43页 |
| ·实验中所用化学试剂及仪器 | 第36-37页 |
| ·实验材料的成分设计 | 第37-38页 |
| ·Sol-Gel法制备ZnO纳米复合粉体的工艺流程 | 第38-39页 |
| ·成型工艺的确定 | 第39页 |
| ·烧结工艺的确定 | 第39-41页 |
| ·试样的制备 | 第41-43页 |
| 第三章 Sol-Gel法制备粉体工艺参数的确定及粉体的表征 | 第43-52页 |
| ·Sol-Gel法制备ZnO纳米复合粉体工艺参数的确定 | 第43-45页 |
| ·金属离子浓度的选择 | 第43页 |
| ·柠檬酸用量的选择 | 第43-44页 |
| ·乙醇用量的选择 | 第44-45页 |
| ·HNO_3用量的选择 | 第45页 |
| ·先驱物与成品微粉的表征 | 第45-52页 |
| ·干凝胶的差热曲线(DTA)分析 | 第45-46页 |
| ·ZnO纳米复合粉体的X射线衍射(XRD)分析 | 第46-49页 |
| ·ZnO纳米复合粉体的扫描电镜(SEM)分析 | 第49-50页 |
| ·ZnO纳米复合粉体的比表面积估算 | 第50-52页 |
| 第四章 稀土元素掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能和显微结构的影响 | 第52-73页 |
| ·Y_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻电性能和显微结构的影响 | 第52-57页 |
| ·Y_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的电性能结果 | 第52-55页 |
| ·Y_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的SEM显微结构分析 | 第55-56页 |
| ·Y_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的X射线衍射(XRD)分析 | 第56-57页 |
| ·CeO_2掺杂对ZnO压敏电阻电性能和显微结构的影响 | 第57-62页 |
| ·CeO_2掺杂ZnO压敏电阻的电性能结果 | 第57-60页 |
| ·CeO_2掺杂ZnO压敏电阻的SEM显微结构分析 | 第60-61页 |
| ·CeO_2掺杂ZnO压敏电阻的X射线衍射(XRD)分析 | 第61-62页 |
| ·La_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻电性能和显微结构的影响 | 第62-67页 |
| ·La_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的电性能结果 | 第62-65页 |
| ·La_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的SEM显微结构分析 | 第65-66页 |
| ·La_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的X射线衍射(XRD)分析 | 第66-67页 |
| ·Eu_2O_3对ZnO压敏电阻电性能和显微结构的影响 | 第67-73页 |
| ·Eu_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的电性能结果 | 第67-71页 |
| ·Eu_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的SEM显微结构分析 | 第71页 |
| ·Eu_2O_3掺杂ZnO压敏电阻的X射线衍射(XRD)分析 | 第71-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 在学研究成果 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
