HWCVD系统中沉积参数对Si：H薄膜结晶性的影响
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·序言 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池发展历史和现状 | 第11-15页 |
| ·光伏现象的发现与前期研究 | 第11-12页 |
| ·太阳能发电产业的发展 | 第12-15页 |
| ·太阳能电池原理及技术 | 第15-23页 |
| ·太阳能电池发电原理 | 第15-17页 |
| ·硅基太阳能电池 | 第17-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 热丝化学气相沉积技术 | 第28-42页 |
| ·热丝化学气相沉积简介 | 第28-30页 |
| ·热丝CVD沉积原理 | 第30-35页 |
| ·气体分子在热丝处的分解 | 第30-31页 |
| ·基元的气相化学反应 | 第31-32页 |
| ·基元吸附与薄膜生长 | 第32-34页 |
| ·热丝材料以及寿命问题 | 第34-35页 |
| ·本文立意 | 第35-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第三章 样品制备与测试方法介绍 | 第42-48页 |
| ·样品制备简介 | 第42-44页 |
| ·HWCVD系统简介 | 第42页 |
| ·热丝预处理 | 第42-43页 |
| ·衬底选择与处理 | 第43-44页 |
| ·测试方法介绍 | 第44-48页 |
| ·拉曼(Raman)散射谱 | 第44-45页 |
| ·傅立叶变换红外(FTIR)光谱 | 第45-46页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第46-47页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第47-48页 |
| 第四章 衬底因素对薄膜结晶性的影响 | 第48-68页 |
| ·衬底温度对薄膜结晶性的影响 | 第48-56页 |
| ·薄膜样品制备 | 第48-49页 |
| ·实验结果及分析 | 第49-56页 |
| ·本节小结 | 第56页 |
| ·衬底距离对薄膜结晶性的影响 | 第56-64页 |
| ·薄膜样品制备 | 第57-58页 |
| ·实验结果及分析 | 第58-63页 |
| ·本节小结 | 第63-64页 |
| *附录1 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 H原子浓度分布模型 | 第68-84页 |
| ·HWCVD系统中基元及气相反应概述 | 第68-72页 |
| ·沉积压强对薄膜结晶性的影响 | 第72-77页 |
| ·薄膜制备 | 第73-74页 |
| ·实验结果及分析 | 第74-77页 |
| ·H原子浓度分布模型 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第六章 总结与展望 | 第84-86页 |
| ·本论文工作总结 | 第84-85页 |
| ·下一步工作展望 | 第85-86页 |
| 在读期间的研究成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
