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功率器件封装的失效分析技术及技术应用研究

摘要第1-5页
Abstract第5-6页
第一章 背景介绍第6-16页
   ·课题背景第6-8页
   ·功率器件的封装形式第8-9页
   ·功率器件面临的可靠性挑战第9-14页
   ·失效分析程序及方法第14-15页
   ·本论文的实验目的和意义第15-16页
第二章 功率器件漏电流的PEM定位和分析研究第16-27页
   ·概述第16页
   ·原理介绍第16-19页
   ·实验方法第19-22页
     ·漏电流定位方法回顾第19-20页
     ·试验方案第20页
     ·样品制备方法第20-22页
   ·结果与讨论第22-26页
     ·OBIRCH实验结果与讨论第22-23页
     ·EMMI实验结果与讨论第23-26页
   ·本章结论第26-27页
第三章 功率器件的EOS失效分析与焊接工艺优化研究第27-39页
   ·概述第27页
   ·实验方法第27页
     ·样品材料与参数第27页
     ·实验样品选取方法第27页
   ·实验结果与讨论第27-38页
     ·焊料空洞(Solder Void)导致EOS第27-29页
     ·栅极开路(Gate Open)导致EOS第29-31页
     ·芯片裂纹(Die Crack)导致EOS第31-34页
     ·芯片焊接(Die Attach)工艺优化第34-38页
   ·本章结论第38-39页
第四章 功率器件引线键合工艺可靠性研究第39-50页
   ·概述第39页
   ·实验方法及数据处理方法第39-44页
     ·样品材料和参数第39-40页
     ·球形焊接工艺第40页
     ·芯片表面超声波扫描第40-41页
     ·铝层厚度与晶粒大小测试第41-43页
     ·芯片表面显微硬度测试第43-44页
   ·结果与讨论第44-49页
     ·原子的互扩散与金属间化合物的形成第44页
     ·引线键合压力下的ANSYS模拟第44-49页
   ·本章结论第49-50页
第五章 论文结论第50-51页
参考文献第51-53页
致谢第53-54页

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