| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·本课题的研究意义 | 第11-13页 |
| ·SiGe 器件的国内外研究现状 | 第13-15页 |
| ·本课题所做的研究工作 | 第15页 |
| ·论文结构安排 | 第15-17页 |
| 第二章 GeSi/Si 材料的基本性质 | 第17-22页 |
| ·晶格常数与晶格适配率 | 第17页 |
| ·应变与应变能 | 第17-18页 |
| ·应变临界厚度 | 第18-20页 |
| ·GeSi 合金折射率的计算 | 第20-22页 |
| 第三章 光波导中的光栅理论 | 第22-29页 |
| ·光栅的分类 | 第22页 |
| ·光栅耦合 | 第22-24页 |
| ·光栅介绍 | 第22-23页 |
| ·相位匹配条件 | 第23页 |
| ·光栅结构中的模耦合方程 | 第23-24页 |
| ·共线耦合 | 第24-26页 |
| ·共面耦合 | 第26-27页 |
| ·导模-辐射模耦合 | 第27-29页 |
| 第四章 GeSi/Si 异质结布拉格反射光栅和光栅耦合器的设计 | 第29-47页 |
| ·GE_x Si_(1-x)/Si异质结组分X的选择 | 第29-30页 |
| ·GE_(0.05)Si_(0.95)/Si 异质结布拉格反射光栅的设计 | 第30-35页 |
| ·布拉格条件的分析 | 第30-31页 |
| ·反射型光栅的耦合效率 | 第31-32页 |
| ·角度的选择性和波长的选择性 | 第32页 |
| ·耦合系数 | 第32-33页 |
| ·光栅结构 | 第33页 |
| ·光栅波导层的厚度 | 第33-34页 |
| ·光栅长度和槽深 | 第34页 |
| ·光栅的周期和槽宽 | 第34-35页 |
| ·数值模拟和结论 | 第35页 |
| ·GE_(0.05) Si_(0.95) /Si 异质结光栅耦合器的粗略设计 | 第35-40页 |
| ·输出耦合 | 第35-37页 |
| ·输入耦合 | 第37页 |
| ·辐射损耗系数 | 第37-38页 |
| ·光栅耦合器的设计的考虑 | 第38页 |
| ·波导层的厚度 | 第38-39页 |
| ·槽形 | 第39页 |
| ·周期 | 第39页 |
| ·槽深和光栅长度 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40页 |
| ·Ge_(0.05)Si_(0.95) /Si 异质结光栅耦合器的精确设计 | 第40-47页 |
| ·光栅耦合器结构 | 第41页 |
| ·相位匹配条件 | 第41页 |
| ·辐射衰减系数 | 第41-43页 |
| ·输入耦合 | 第43-44页 |
| ·设计分析 | 第44页 |
| ·光栅的周期和槽宽 | 第44-45页 |
| ·光栅的槽深 | 第45页 |
| ·光栅的耦合长度 | 第45-46页 |
| ·输入和输出光场的数值模拟 | 第46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第五章 SIGE/SI 异质结波导光栅的研制和器件的测试 | 第47-57页 |
| ·GeSi/Si 异质结材料制备 | 第47-50页 |
| ·分子束外廷(MBE)生长方法 | 第47-49页 |
| ·化学气相淀积(CVD)生长方法 | 第49-50页 |
| ·GeSi/Si 异质结波导光栅的光刻技术 | 第50-54页 |
| ·抗蚀剂涂布 | 第50-51页 |
| ·双光束干涉曝光 | 第51-53页 |
| ·显影 | 第53-54页 |
| ·GeSi/Si 异质结波导光栅电子束成像法 | 第54-55页 |
| ·电子束致抗蚀剂 | 第54页 |
| ·电子束绘图法 | 第54-55页 |
| ·腐蚀和脱模 | 第55-56页 |
| ·器件的测试 | 第56-57页 |
| ·传输常数的测量 | 第56页 |
| ·耦合效率的测量 | 第56-57页 |
| 第六章 结论与展望 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
